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本发明涉及切割硅片的后处理技术领域，特别是一种金刚线切割硅片的清洗方法。该方法如下：经过脱胶后的硅片分别在碱性清洗剂和乳酸中进行粗洗，碱性清洗剂的pH＝9～10，温度30～50℃，乳酸的温度为60℃，然后分别在碱性清洗剂和纯水中进行精洗，碱...
该专利属于常州天合光能有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州天合光能有限公司授权不得商用。

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