【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体表面处理领域，具体是一种半导体硅片化学机械抛光清洗液及其制备方法。
技术介绍
在集成电路的制造工艺过程中，芯片的表面状态及洁净度是影响器件质量与可靠性的最重要的因素之一，因此，在芯片制造过程中，必须对硅片进行化学机械抛光。目前，硅片化学机械抛光是将硅片置于抛光垫上，使用抛光液对硅片进行抛光。因现有抛光液中一般都含有二氧化硅、氧化铝、二氧化铈、金属离子和有机化合物等，所以硅片经过化学机械抛光后，上述化合物、离子以及抛光过程中产生的颗粒就会吸附在硅片表面上，造成硅片污染，因此需要在抛光后对硅片进行清洗，得到符合要求的洁净硅片。现有清洗液对硅片表面进行氧化和腐蚀，但容易出现腐蚀不均匀的现象，导致硅片表面平整度差，难以去除抛光及腐蚀过程中所产生的金属污染物(铁、镍、铜、钙、铬、锌、或其氢氧化物或氧化物)、粒径在Ο.?μπι以下的颗粒以及金属离子，清洗效果差，清洗液成本高且对环境污染严重。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体硅片化学机械抛光清洗液，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案: ...
【技术保护点】
一种半导体硅片化学机械抛光清洗液，其特征在于，按照重量份的原料包括：柠檬酸2‑4份、柠檬酸氢二铵2‑4份、四甲基氢氧化铵0.1‑0.3份、四丙基氢氧化铵0.1‑0.3份、乙醇胺0.1‑0.2份、聚醚表面活性剂0.4‑0.8份、氯化钾0.1‑0.4份、氯化钠0.1‑0.3份、过硫酸钠0.01‑0.1份、去离子水20‑30份、二氧化硅2‑4份。
【技术特征摘要】
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。