【技术实现步骤摘要】
201610321787
【技术保护点】
制造半导体晶片用硅片的杂质源扩散方法，其特征在于，将硅片放入密闭的高温扩散炉中，向高温扩散炉中通入氮气和磷源，使携带磷源的氮气经高温热分解和硅片表面反应，还原出杂质原子并向硅片内部扩散，从而使得硅片上、下表面的杂质浓度和杂质扩散结深得到控制。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郏金鹏，陈诚，王平，王峰，张各海，袁超，张凌鹓，
申请(专利权)人：江苏佑风微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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