多晶硅炉管沉积厚度监控装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种多晶硅炉管沉积膜厚监控装置及方法，可以在现有的三片控片监控方式下，将顶部控片、中部控片替换为表面经过退火处理后的控片，能够避免产品晶圆表面膜厚不一致的问题，同时保障控片监测数据的真实性和稳定性，提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
201610307824

【技术保护点】
一种多晶硅炉管沉积膜厚监控装置，其特征在于，包括：一晶舟、一片或两片顶部控片、一片或两片中部控片、一片底部控片以及若干待多晶硅沉积的产品晶圆；其中，所述晶舟顶部装载所述顶部控片，中部装载所述中部控片，底部装载所述底部控片，所述待多晶硅沉积的产品晶圆相应地填充在所述顶部控片和所述中部控片之间的晶舟装载区以及所述中部控片与所述底部控片之间的晶舟装载区中，所述顶部控片和中部控片的表面均经过退火工艺处理，所述退火工艺包括氮气退火工艺、氩气退火工艺、氦气退火工艺中的至少一种。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐涛，陈宏，王卉，曹子贵，梁肖，陈广伦，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31