一种36对棒多晶硅还原炉控制系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种36对棒多晶硅还原炉控制系统，包括高压启动电源、五极真空接触器、功率柜、36对硅芯，采用将36对硅芯分为6组，其中3组为4对硅芯，其中3组为8对硅芯，采用本实用新型专利技术的控制系统，只需要4台高压启动电源，6个五极真空接触器，6台功率柜，就能很好的实现36对棒多晶硅还原炉控制系统，取代了现在的结构复杂，成本高的36对棒多晶硅还原炉控制系统；进一步的，与现有的36对棒多晶硅还原炉控制系统相比，本实用新型专利技术结构简单、成本低等优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种多晶硅生产系统，特别是一种36对棒多晶硅还原炉控制系统。
技术介绍
在多晶硅的生长过程中，首先需要启动击穿，然后再进行还原生长。多晶硅还原在生产方式上有12对棒、18对棒、24对棒、36对棒、48对棒。然而36对棒、48对棒将成为还原炉发展的趋势。现有技术中采用的36对棒多晶硅还原炉，其硅芯负载一共分为6组，每组6对棒，需要6台高压启动电源进行启动，每组硅芯到真空接触器均需要7根高压母线连接，每台还原炉需要配置12个真空接触器（包括6个三极真空接触器和6个四极空接触器）和6台都具有并串联控制回路的功率柜，而且每台功率柜都包括1个三极真空接触器和1台均流电抗器，设备投入成本较高,控制系统较繁琐。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于：针对传统36对棒多晶硅还原炉控制系统的投入成本较高，提供一种设备投入成本低的36对棒多晶硅还原炉的控制系统。 为了实现上述目的，本技术采用的技术方案为：一种36对棒多晶硅还原炉控制系统，包括高压启动电源、36对硅芯、五极真空接触器和功率柜；所述还原炉内设置有36对硅芯，所述36对硅芯分为6组：第一组硅芯、第二组硅芯、第三组硅芯、第四组硅芯、第五组硅芯、第六组硅芯，所述第一、第三、第五组硅芯分别由4对硅芯组成，所述第二、第四、第六组硅芯分别由8对硅芯组成；所述高压启动电源为4台，4台所述高压启动电源组成和结构均相同，4台所述高压启动电源分别为第一高压启动电源、第二高压启动电源、第三高压启动电源、第四高压启动电源；所述五极真空接触器为6个，6个所述五极真空接触器组成和结构均相同，6个所述五极真空接触器分别为第一五级真空接触器、第二五极真空接触器、第三五极真空接触器、第四五极真空接触器、第五五极真空接触器、第六五极真空接触器；所述4台高压启动电源分别通过第一、第三、第五五极真空接触器与第一、第三、第五组硅芯并联连接，所述4台高压启动电源分别通过第二、第四、第六五极真空接触器与第二、第四、第六组硅芯并联连接，高压启动电源为硅芯加载电压。所述功率柜为6台，所述功率柜分别为第一功率柜、第二功率柜、第三功率柜、第四功率柜、第五功率柜、第六功率柜，所述第一、第三、第五功率柜具有串联回路，所述第二、第四、第六功率柜具有串并联回路；所述第一、第三、第五组硅芯中，每组硅芯分别连接第一、第三、第五功率柜，所述第二、第四、第六组硅芯中，每组硅芯分别连接第二、第四、第六功率柜，功率柜用于向该组中的硅芯提供还原电源。所述第一、第三、第五组硅芯中，每组硅芯分别连接第一、第三、第五功率柜，所述高压启动电源的输出电流电压均达到激活还原的电流条件30～50A、电压条件400V～500V时，所述功率柜串联运行，向该组中的硅芯提供还原电源，继续后续的加热。第二、第四、第六组硅芯分别连接具有并串联控制回路的功率柜，所述高压启动电源的输出电流电压均达到激活还原的电流条件30～50A、电压条件800～1000V时，所述功率柜向该组中的硅芯提供还原电源：所述功率柜先并联运行，当输出电压电流达到电流条件150～180A、电压条件2100V时切换到串联运行，继续后续的加热。作为本技术的优选方案，所述第二、第四、第六组硅芯中的8对硅芯均分为4 个倍芯组，每个倍芯组包括相邻的两对硅芯，4台所述高压启动电源分别通过第二、第四、第六功率柜的真空接触器分别与所述倍芯组并联连接，为硅芯加载电压。作为本技术的优选方案，所述高压启动电源包括：可控型器件和单相升压变压器，所述可控型器件的输入为交流380V，并向所述单相升压变压器的一次侧输出低压交流电，所述高压启动电源中的单相升压变压器将低压交流电升压并输出0～12KV高压交流电,所述单相升压变压器的二次侧作为所述高压启动电源的输出端。作为本技术的优选方案，所述具有串并联回路的功率柜比具有串联回路的功率柜多1个三极真空接触器和1台均流电抗器。作为本技术的优选方案，所述控制系统还包括一台还原主变压器，6台所述功率柜通过所述还原主变压器进行供电。综上所述，由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是：节约了设备投入成本，简化了控制系统，与现有技术的相比较具体如下：1、配置4台高压启动电源，节省2台高压启动电源；2、每台还原炉只需配置6个真空接触器，节省6个真空接触器；3、每台还原炉只需配置3台具有并串联控制回路的功率柜、3台只有串联控制回路的功率柜，从而节省3个真空接触器和3台均流电抗器等；4、高压启动电源与真空接触器的连接，以及每个真空接触器与每组硅芯的连接只需5根高压母线，每台还原炉节省至少12根高压电缆。附图说明图1是现有36对棒多晶硅还原炉的控制系统结构示意图；图2为本技术一种36对棒多晶硅还原炉的控制系统结构示意图；图2中的附图标记为：1第一高压启动电源，2第二高压启动电源，3第三高压启动电源，4第四高压启动电源，5第一五极真空接触器，6第二五极真空接触器，7第三极真空接触器，8第四五极真空接触器，9第五五极真空接触器，10第六五极真空接触器，11第一功率柜，12第二功率柜，13第三功率柜，14第四功率柜，15第五功率柜，16第六功率柜，A1第一组硅芯，A2第二组硅芯，B1第三组硅芯，B2第四组硅芯，C1第五组硅芯，C2第六组硅芯。具体实施方式下面结合附图，对本技术作详细的说明。为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。如图2所示，一种36对棒多晶硅还原炉的控制系统，所述控制系统包括：36对硅芯、4台高压启动电源、6个五极真空接触器、6台功率柜。其还原炉内设置有36对硅芯，所述36对硅芯对应还原主变压器的A、B、C三相, 每相分为2组，所述36对硅芯分为6组，第一组硅芯A1、第三组B1、第五组硅芯C1组分别由4对硅芯组成，第二组硅芯A2、第四组硅芯B2、第六组硅芯C2组分别由8对硅芯组成：分为4 个倍芯组，每个倍芯组包括相邻的两对硅芯。所述高压启动电源包括：可控型器件和单相升压变压器，所述可控型器件的输入为交流380V，并向所述单相升压变压器的一次侧输出低压交流电，通过升压变压器将低压交流电升压并输出0～12KV高压交流电，所述单相升压变压器的二次侧作为所述高压启动电源的输出端。如图2所示，所述高压启动电源的输入电压为AC380V，第一高压启动电源1输入端L1接A相，L2接B相；第二高压启动电源2输入端L1接B相，L2接A相；第三高压启动电源3输入端L1接A相，L2接B相，第四高压启动电源4输入端L1接B相，L2接A相；第一高压启动电源1输出端A2与第二高压启动电源2输出端A1短接，第二高压启动电源2输出端A2与第三高压启动电源3输出端A1短接，第三高压启动电源3输出端A2与第四高压启动电源4输出端A1短接。4台高压启动电源1～4输出的5根高压母线，通过五极真空接触器第一五极真空接触器5连接到A1组硅芯A11～A14, 通过第二五极真空接触器6连接到A2组硅芯A21～A28, 通过第三五极真空接触器7连接到B1组硅芯B11～B14, 通过第四五极真空接触器8连接到B2组硅芯B21～B2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种36对棒多晶硅还原炉控制系统，包括高压启动电源、五极真空接触器、功率柜、36对硅芯；其特征在于，所述36对硅芯设置于还原炉内，所述36对硅芯分为6组：第一组硅芯、第二组硅芯、第三组硅芯、第四组硅芯、第五组硅芯、第六组硅芯，所述第一、第三、第五组硅芯分别由4对硅芯组成，所述第二、第四、第六组硅芯分别由8对硅芯组成；所述高压启动电源为4台，4台所述高压启动电源组成和结构均相同，4台所述高压启动电源分别为第一高压启动电源、第二高压启动电源、第三高压启动电源、第四高压启动电源；所述五极真空接触器为6个，6个所述五极真空接触器组成和结构均相同，6个所述五极真空接触器分别为第一五级真空接触器、第二五极真空接触器、第三五极真空接触器、第四五极真空接触器、第五五极真空接触器、第六五极真空接触器；4台所述高压启动电源分别通过第一、第三、第五五极真空接触器与第一、第三、第五组的硅芯并联连接，4台所述高压启动电源分别通过第二、第四、第六五极真空接触器与第二、第四、第六组的硅芯并联连接；所述功率柜为6台，6台所述功率柜分别为第一功率柜、第二功率柜、第三功率柜、第四功率柜、第五功率柜、第六功率柜，所述第一、第三、第五功率柜具有串联回路，所述第二、第四、第六功率柜具有串并联回路；所述第一、第三、第五组硅芯中，每组硅芯分别连接第一、第三、第五功率柜，所述第二、第四、第六组硅芯中，每组硅芯分别连接第二、第四、第六功率柜。...

【技术特征摘要】
1.一种36对棒多晶硅还原炉控制系统，包括高压启动电源、五极真空接触器、功率柜、36对硅芯；其特征在于，所述36对硅芯设置于还原炉内，所述36对硅芯分为6组：第一组硅芯、第二组硅芯、第三组硅芯、第四组硅芯、第五组硅芯、第六组硅芯，所述第一、第三、第五组硅芯分别由4对硅芯组成，所述第二、第四、第六组硅芯分别由8对硅芯组成；所述高压启动电源为4台，4台所述高压启动电源组成和结构均相同，4台所述高压启动电源分别为第一高压启动电源、第二高压启动电源、第三高压启动电源、第四高压启动电源；所述五极真空接触器为6个，6个所述五极真空接触器组成和结构均相同，6个所述五极真空接触器分别为第一五级真空接触器、第二五极真空接触器、第三五极真空接触器、第四五极真空接触器、第五五极真空接触器、第六五极真空接触器；4台所述高压启动电源分别通过第一、第三、第五五极真空接触器与第一、第三、第五组的硅芯并联连接，4台所述高压启动电源分别通过第二、第四、第六五极真空接触器与第二、第四、第六组的硅芯并联连接；所述功率柜为6台，6台所述功率柜分别为第一功率柜、第二功率柜、第三功率柜、第四功率柜、第五功率柜、第六功率柜，所述第一、第三、第五功率柜具...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖晓刚，
申请(专利权)人：四川英杰电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51