一种48对棒多晶硅还原炉的启动系统技术方案

本实用新型专利技术涉及一种48对棒多晶硅还原炉的启动系统，通过将48对棒多晶硅还原炉的硅芯负载分为6组，每组8对棒，每台还原炉只需配置1台还原主变压器，还原电源只需配置6个功率柜以对6组硅芯负载进行加热。从而使得设备的投入成本得到降低，并且单套48对棒多晶硅电气设备占地面积也减小，需要修建的厂房面积也就随之变小。在还原炉数量较多时，可配置两套启动系统，通过母联柜开关互为备用。这样进一步缩短了还原炉启动时间，并且2套所述互为备用的启动系统可以在一套启动系统出现故障时,开启另一套启动系统确保所有还原炉的正常启动，从而提升了设备运行的可靠性，提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种48对棒多晶硅还原炉的启动系统，通过将48对棒多晶硅还原炉的硅芯负载分为6组，每组8对棒，每台还原炉只需配置1台还原主变压器，还原电源只需配置6个功率柜以对6组硅芯负载进行加热。从而使得设备的投入成本得到降低，并且单套48对棒多晶硅电气设备占地面积也减小，需要修建的厂房面积也就随之变小。在还原炉数量较多时，可配置两套启动系统，通过母联柜开关互为备用。这样进一步缩短了还原炉启动时间，并且2套所述互为备用的启动系统可以在一套启动系统出现故障时,开启另一套启动系统确保所有还原炉的正常启动，从而提升了设备运行的可靠性，提高了生产效率。【专利说明】-种48对棒多晶硅还原炉的启动系统
本技术涉及一种多晶硅生产系统，特别是一种48对棒多晶硅还原炉的启动系统。
技术介绍
在多晶硅的生长过程中，首先需要启动击穿，然后再进行还原生长。由于硅在常温时电阻率很高，不易导通，业内部分多晶硅生产厂家采用石墨加热、等离子加热、卤素灯等外加热的方式，但存在操作麻烦、启动时间长，效率低，启动成功率低，影响硅纯度，还原设备复杂等弊端。而高压启动采用几千伏高压的电启动方式，让硅芯自身发热，从而使其内外上下发热均匀、快速，可有效解决上述弊端:可以缩短启动时间、提高启动效率和成功率、减小还原电气设备的复杂程度。因此，高压启动方式具有先天的优势，对于高品质的多晶硅生产是目前的一种最优选择。而现有技术中采用的48对棒多晶硅还原炉，其硅芯负载一共分为9组，包括3组4对棒和6组6对棒，且每台还原炉需要配置2台还原主变压器，同时还原电源需配置9个功率柜以对9组硅芯负载进行加热。这样就造成了现有的48对棒多晶硅还原炉具有以下缺点:1、投入成本较高；2、单套48对棒多晶硅电气设备占地面积较大，增大了需要修建的厂房面积。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于:针对传统的48对棒多晶硅还原炉投入成本较高，且单套48对棒多晶硅电气设备占地面积较大的问题，提供一种设备投入成本低，占地面积小的48对棒多晶硅还原炉的启动系统。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案为:一种48对棒多晶硅还原炉的启动系统，还原炉内设置有48对硅芯，所述48对硅芯分为6组，每组8对硅芯，即Al组、A2组、BI组、B2组、Cl组、C2组;其中，所述Al组中的8对硅芯依次串接后均分为2组，分别为第一优先击穿组和第一次后击穿组；所述A2组中的8对硅芯依次串接后均分为2组，分别为第二优先击穿组和第二次后击穿组；所述启动系统包括:高压启动电源组、维持电源、第一切换柜和第二切换柜；所述第一切换柜连接所述Al组、A2组中的硅芯，所述第一切换柜还连接所述高压启动电源组，所述高压启动电源组通过所述第一切换柜依次击穿所述第一优先击穿组、第二优先击穿组、第一次后击穿组和第二次后击穿组中的硅芯；所述第一优先击穿组和第二优先击穿组中的硅芯还分别连接所述维持电源，所述维持电源用于在所述第一优先击穿组或第二优先击穿组中被击穿的硅芯中通过的电流达到设定值时，对其进行维持加热；在所述Al组、A2组中，每一组硅芯分别连接一功率柜，所述功率柜用于向该组中的硅芯提供还原电源；所述第二切换柜连接所述BI组、B2组、Cl组和C2组中的硅芯，所述第二切换柜还连接所述高压启动电源组，所述高压启动电源组通过所述切换柜依次击穿所述BI组、B2组、Cl组和C2组中的硅芯;在所述BI组、B2组、Cl组和C2组中，每一组硅芯分别连接一功率柜，所述功率柜用于向该组中的硅芯提供还原电源；所述功率柜通过一台还原主变压器进行供电。作为本技术的优选方案，所述高压启动电源组包括4台高压启动电源;所述4台高压启动电源分别与所述第一优先击穿组、第一次后击穿组、第二优先击穿组或第二次后击穿组中的4对硅芯一一对应的并联连接。作为本技术的优选方案，所述BI组、B2组、Cl组和C2组中的8对硅芯均分为4个倍芯组，每个倍芯组包括相邻的两对硅芯，所述4台高压启动电源分别与一个所述倍芯组并联连接。作为本技术的优选方案，所述第一切换柜包括:4个第一五极真空接触器，所述4个第一五极真空接触器分别与所述第一优先击穿组、第一次后击穿组、第二优先击穿组和第二次后击穿组对应连接，每一个所述第一五极真空接触器相邻的2个输出端均并联连接一对硅芯；2个二极真空接触器，所述2个二极真空接触器分别与所述第一优先击穿组和第二优先击穿组对应连接，每一个所述二极真空接触器的2个输出端分别与一组硅芯中首尾两个硅芯并联连接。作为本技术的优选方案，每一个所述第一五极真空接触器的输入端还分别连接至所述4台高压启动电源，所述4台高压启动电源同时为所述第一优先击穿组、第一次后击穿组、第二优先击穿组或第二次后击穿组中的4对硅芯加载电压；所述2个二极真空接触器的输入端均连接至所述维持电源，所述维持电源同时为所述第一优先击穿组或第二优先击穿组中的4对硅芯提供维持电源。作为本技术的优选方案，所述第二切换柜包括:4个第二五极真空接触器，所述4个第二五极真空接触器分别与所述BI组、B2组、Cl组和C2组中的硅芯对应连接，每一个所述第二五极真空接触器相邻的2个输出端均并联连接I个所述倍芯组。作为本技术的优选方案，每一个第二五极真空接触器的输入端还分别连接至所述4台高压启动电源，所述4台高压启动电源同时为所述BI组、B2组、CI组或C2组中8对硅芯加载电压。作为本技术的优选方案，所述4个第一五极真空接触器和4个第二五极真空接触器通过5根高压母线分别连接至所述4台高压启动电源，所述2个二极真空接触器通过2根维持母线分别连接至所述维持电源。作为本技术的优选方案，所述高压启动电源和维持电源均包括:可控型器件和单相升压变压器，所述可控型器件的输入为交流380V，通过恒定变压器二次侧电流限制变压器二次侧电压的方式进行控制，并向所述单相升压变压器的一次侧输出低压交流电，所述高压启动电源中的单相升压变压器将低压交流电升压并输出O?12KV高压交流电，所述维持电源中的单相升压变压器将低压交流电升压并输出O?4KV高压交流电，所述单相升压变压器的二次侧作为所述高压启动电源和维持电源的输出端。作为本技术的优选方案，包括2套所述的启动系统，2套所述的启动系统通过母联柜连接，互为备用，用于当一套启动系统出现故障时，开起另一套启动系统确保所有还原炉的正常启动。综上所述，由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是:1、将48对棒多晶硅还原炉的硅芯负载分为6组，每组8对棒，每台还原炉只需配置I台还原主变压器，还原电源只需配置6个功率柜以对6组硅芯负载进行加热。从而使得设备的投入成本得到降低，并且单套48对棒多晶硅电气设备占地面积也减小，需要修建的厂房面积也就随之变小。2、在还原炉数量较多时，可配置两套启动系统，通过母联柜开关互为备用。这样进一步缩短了还原炉启动时间，并且2套所述互为备用的启动系统可以在一套启动系统出现故障时，开启另一套启动系统确保所有还原炉的正常启动，从而提升了设备运行的可靠性，提高了生产效率。【附图说明】图1是本技术一种48对棒多晶娃还原炉的启动系统结构不意图。图2为本本技术实施例1中启动方式一的第一步原理图。图3为本本技术实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种48对棒多晶硅还原炉的启动系统，其特征在于，还原炉内设置有48对硅芯，所述48对硅芯分为6组，每组8对硅芯，即A1组、A2组、B1组、B2组、C1组、C2组；其中，所述A1组中的8对硅芯依次串接后均分为2组，分别为第一优先击穿组和第一次后击穿组；所述A2组中的8对硅芯依次串接后均分为2组，分别为第二优先击穿组和第二次后击穿组；所述启动系统包括：高压启动电源组、维持电源、第一切换柜和第二切换柜；所述第一切换柜连接所述A1组、A2组中的硅芯，所述第一切换柜还连接所述高压启动电源组，所述高压启动电源组通过所述第一切换柜依次击穿所述第一优先击穿组、第二优先击穿组、第一次后击穿组和第二次后击穿组中的硅芯；所述第一优先击穿组和第二优先击穿组中的硅芯还分别连接所述维持电源，所述维持电源用于在所述第一优先击穿组或第二优先击穿组中被击穿的硅芯中通过的电流达到设定值时，对其进行维持加热；在所述A1组、A2组中，每一组硅芯分别连接一功率柜，所述功率柜用于向该组中的硅芯提供还原电源；所述第二切换柜连接所述B1组、B2组、C1组和C2组中的硅芯，所述第二切换柜还连接所述高压启动电源组，所述高压启动电源组通过所述切换柜依次击穿所述B1组、B2组、C1组和C2组中的硅芯；在所述B1组、B2组、C1组和C2组中，每一组硅芯分别连接一功率柜，所述功率柜用于向该组中的硅芯提供还原电源；所述功率柜通过一台还原主变压器进行供电。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖晓刚，
申请(专利权)人：四川英杰电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51