【技术实现步骤摘要】
多晶硅生产过程中还原炉参数配方的控制方法
本专利技术涉及多晶硅加工领域,具体涉及一种多晶硅生产过程中还原炉参数配方的控制方法。
技术介绍
在多晶硅工业生产中,还原炉配方参数的使用范围非常广泛。由于还原炉的生产成本比较高,从而对参数的控制要求比较严格。如何处理多种配方参数正确运用到还原炉的控制系统保证稳定生产的方法显的非常重要。现有技术主要是对固定参数的配方控制,由于在多晶硅还原过程中随着生产过程的继续,对参数的要求不断变化,固定参数配方无法实现连续的控制要求,抗参数扰动能力差。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术实施例提供一种多晶硅生产过程中还原炉参数配方的控制方法,可以通过多组参数的调节来控制还原炉中的还原过程,实现对还原过程的连续控制,进而提高了多晶硅的产量和质量。本专利技术要解决的技术问题是通过如下技术方案实现的:一种多晶硅生产过程中还原炉参数配方的控制方法,包括如下步骤:设置还原过程总时间为T,按照时间间隔t进行划分为n段,根据需要设置所述时间间隔的TCS流量、温度和摩尔比,其中所述的T为88-96h,所述的t为2-4h;设置起始TCS流量M始=20-30kg/h,起始温度N始=1140-1180℃,起始摩尔比p始=0.195-0.21;设置终点TCS流量M终=400-420kg/h,终点温度N终=920-980℃,终点摩尔比为p终=0.235-0.245;所述的TCS流量从开始至时间为T1升高至M1,从T1至T降低至M终,所述的T1=42-48h,M1=440-450kg/h;所述的摩尔比从开始至时间为T2升高至P1,从T2至T降低至p终,所述的T2 ...
【技术保护点】
一种多晶硅生产过程中还原炉参数配方的控制方法,其特征在于,包括如下步骤:设置还原过程总时间为T,按照时间间隔t进行划分为n段,根据需要设置所述时间间隔的TCS流量、温度和摩尔比,其中所述的T为88‑96h,所述的t为2‑4h;设置起始TCS流量M始=20‑30kg/h,起始温度N始=1140‑1180℃,起始摩尔比p始=0.195‑0.21;设置终点TCS流量M终=400‑420kg/h,终点温度N终=920‑980℃,终点摩尔比为p终=0.235‑0.245;所述的TCS流量从开始至时间为T1升高至M1,从T1至T降低至M终,所述的T1=42‑48h,M1=440‑450kg/h;所述的摩尔比从开始至时间为T2升高至P1,从T2至T降低至p终,所述的T2=32‑44h,P1=0.245‑0.255;将所述的参数配方下载到PID模块中,通过闭环反馈调节控制还原过程。
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅生产过程中还原炉参数配方的控制方法,其特征在于,包括如下步骤:设置还原过程总时间为T,按照时间间隔t进行划分为n段,根据需要设置所述时间间隔的TCS流量、温度和摩尔比,其中所述的T为88-96h,所述的t为2-4h;设置起始TCS流量M始=20-30kg/h,起始温度N始=1140-1180℃,起始摩尔比p始=0.195-0.21;设置终点TCS流量M终=400-420kg/h,终点温度N终=920-980℃,终点摩尔比为p终=0.235-0.245;所述的TCS流量从开始至时间为T1升高至M1,从T1至T降低至M终,所述的T1=42-48h,M1=440-450kg/h;所述的摩尔比从开始至时间为T2升高至P1,从T2至T降低至p终,所述的T2=32-44h,P1=0.245-0.255;将所述的参数配方下载到PID模块中,通过闭环反馈调节控制还原过程。2.根据权利要求1所述的多晶硅生产过程中还原炉参数配方的控制方法,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:张留,张建庆,周欣,
申请(专利权)人:新疆大全新能源有限公司,
类型:发明
国别省市:新疆;65
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