【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种绝缘件，特别是指一种多晶硅还原炉的绝缘盘。
技术介绍
随着多晶硅还原炉不断发展，对还原炉电极的绝缘隔热环套产品的绝缘性及抗震性等技术要求越来越高，特别是采用高压击穿的还原炉需兼顾高压性、绝缘性。现有的高压绝缘隔热环套的绝缘性和耐热冲击的效果不理想，常常出现破裂和电击穿现象，有待于改进。
技术实现思路
本技术提出一种绝缘盘，解决了现有技术中绝缘性及耐冲击性差等问题。本技术的技术方案是这样实现的:一种多晶硅还原炉的绝缘盘，包括盘体，该盘体包括圆形的上表面、与该上表面相对的圆形的下表面及连接于该上、下表面之间的侧面，其中部设有一贯穿盘体上、下表面的圆形的通孔，所述盘体为氮化硅盘体，所述盘体的上表面上设有第一凹槽及第二凹槽，所述第一凹槽为由盘体的上表面向下凹进形成的圆环形槽，所述第二凹槽为由该第一凹槽的底面向下凹进形成的圆环形槽，所述第一凹槽的内径大于第二凹槽的内径，所述盘体的下表面上设有第三凹槽，该第三凹槽为由盘体的下表面向上凹进形成的圆环形槽，所述环槽为圆环状，其由盘体的侧面中部向内凹进形成。优选方案为，所述第一凹槽及第二凹槽的中心与通孔的中心相同...
【技术保护点】
一种多晶硅还原炉的绝缘盘，包括盘体，该盘体包括圆形的上表面、与该上表面相对的圆形的下表面及连接于该上、下表面之间的侧面，其中部设有一贯穿盘体上、下表面的圆形的通孔，其特征在于：所述盘体为氮化硅盘体，所述盘体的上表面上设有第一凹槽及第二凹槽，所述第一凹槽为由盘体的上表面向下凹进形成的圆环形槽，所述第二凹槽为由该第一凹槽的底面向下凹进形成的圆环形槽，所述第一凹槽的内径大于第二凹槽的内径，所述盘体的下表面上设有第三凹槽，该第三凹槽为由盘体的下表面向上凹进形成的圆环形槽，所述环槽为圆环状，其由盘体的侧面中部向内凹进形成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，
申请(专利权)人：新德隆特种陶瓷大连有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。