多晶硅还原炉的绝缘盘制造技术

本实用新型专利技术提出了一种多晶硅还原炉的绝缘盘，包括盘体，其中部设有一贯穿盘体上、下表面的圆形的通孔，该盘体为氮化硅盘体，所述盘体的上表面上设有第一凹槽及第二凹槽，所述第一凹槽为由盘体的上表面向下凹进形成的圆环形槽，所述第二凹槽为由该第一凹槽的底面向下凹进形成的圆环形槽，所述第一凹槽的内径大于第二凹槽的内径，所述盘体的下表面上设有第三凹槽，该第三凹槽为由盘体的下表面向上凹进形成的圆环形槽，所述环槽为圆环状，其由盘体的侧面中部向内凹进形成。本实用新型专利技术中的绝缘盘由于设有环槽，增大了绝缘盘自身的弹性系数，对导体组件有一个缓冲作用，大大提高了导体组件的受挤压能力，且为氮化硅绝缘盘，绝缘及稳定性好。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种绝缘件，特别是指一种多晶硅还原炉的绝缘盘。
技术介绍
随着多晶硅还原炉不断发展，对还原炉电极的绝缘隔热环套产品的绝缘性及抗震性等技术要求越来越高，特别是采用高压击穿的还原炉需兼顾高压性、绝缘性。现有的高压绝缘隔热环套的绝缘性和耐热冲击的效果不理想，常常出现破裂和电击穿现象，有待于改进。
技术实现思路
本技术提出一种绝缘盘，解决了现有技术中绝缘性及耐冲击性差等问题。本技术的技术方案是这样实现的:一种多晶硅还原炉的绝缘盘，包括盘体，该盘体包括圆形的上表面、与该上表面相对的圆形的下表面及连接于该上、下表面之间的侧面，其中部设有一贯穿盘体上、下表面的圆形的通孔，所述盘体为氮化硅盘体，所述盘体的上表面上设有第一凹槽及第二凹槽，所述第一凹槽为由盘体的上表面向下凹进形成的圆环形槽，所述第二凹槽为由该第一凹槽的底面向下凹进形成的圆环形槽，所述第一凹槽的内径大于第二凹槽的内径，所述盘体的下表面上设有第三凹槽，该第三凹槽为由盘体的下表面向上凹进形成的圆环形槽，所述环槽为圆环状，其由盘体的侧面中部向内凹进形成。优选方案为，所述第一凹槽及第二凹槽的中心与通孔的中心相同。优选方案为，所述第三凹槽与盘体上表面的第二凹槽上下对应，且大小相同。优选方案为，所述盘体于通孔周缘的上、下两侧分别设有一锥形环槽，每一锥形环槽分别由通孔的顶端及底端向通孔的中部呈渐缩状延伸。优选方案为，所述盘体的直径为200mm，所述通孔的直径为80mm，所述第一凹槽的直径为134.5mm，该第二凹槽与第三凹槽的直径相同，均为128mm。本技术的有益效果为: 本技术中的绝缘盘在其盘体的侧面上设有环槽，增大了绝缘盘自身的弹性系数，使得其在使用过程中，绝缘盘与两侧设有的导体组件进行力的作用时，其对导体组件有一个缓冲作用，大大提高了导体组件的受挤压能力，以防止导体组件损坏，同时，使用时，使盘体设有第一凹槽及第二凹槽的表面靠近温度较高的导电组件一侧，通过第一凹槽及第二凹槽阻隔形成的空间阻隔热量的传递，防止其被烧毁。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术多晶硅还原炉的绝缘盘的剖视图。图中:100、绝缘盘；10、盘体；20、第一凹槽；30、第二凹槽；40、第三凹槽；50、环槽；11、上表面；12、下表面；13、侧面；15、通孔；18、锥形环槽。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1所示，该绝缘盘100用于设于多晶娃还原炉内，其包括盘体10、设于该盘体10上的第一凹槽20、第二凹槽30、设于盘体10下的第三凹槽40及设于盘体10侧缘的环槽50 ο所述盘体10为圆形板状的氮化硅盘体，其包括圆形的上表面11、与该上表面11相对的圆形的下表面12及连接于该上、下表面11、12之间的侧面13。该盘体10的直径为200mm，其中部设有一贯穿盘体10上、下表面11、12的圆形的通孔15。该通孔15的直径为80mm。该盘体10于通孔15周缘的上、下两侧分别设有一锥形环槽18，每一锥形环槽18分别由通孔15的顶端及底端向通孔15的中部呈渐缩状延伸。所述第一凹槽20及第二凹槽30设于盘体10的上表面11上，且第一凹槽20位于第二凹槽30的上方。所述第一凹槽20为由盘体10的上表面11向下凹进形成的圆环形槽，所述第二凹槽30为由该第一凹槽20的底面向下凹进形成的圆环形槽。该第一凹槽20及第二凹槽30的中心与通孔15的中心相同，且第一凹槽20的内径大于第二凹槽30的内径。该第一凹槽20的直径为134.5mm，该第二凹槽30的直径为128mm。该第一凹槽20的顶端形成一向内渐缩的锥形面。所述第三凹槽40由盘体10的下表面12向上凹进形成的圆环形槽，该第三凹槽40与盘体10上表面11的第二凹槽30上下对应，且大小相同。所述环槽50为圆环状，其由盘体10的侧面中部向内凹进形成。该绝缘盘100在其盘体10的侧面13上设有环槽50，增大了绝缘盘100自身的弹性系数，使得其在使用过程中，绝缘盘100与两侧设有的导体组件进行力的作用时，其对导体组件有一个缓冲作用，大大提高了导体组件的受挤压能力，以防止导体组件损坏，同时，使用时，使盘体10设有第一凹槽20及第二凹槽30的表面靠近温度较高的导电组件一侧，通过第一凹槽20及第二凹槽30阻隔形成的空间阻隔热量的传递，防止其被烧毁。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种多晶硅还原炉的绝缘盘，包括盘体，该盘体包括圆形的上表面、与该上表面相对的圆形的下表面及连接于该上、下表面之间的侧面，其中部设有一贯穿盘体上、下表面的圆形的通孔，其特征在于:所述盘体为氮化硅盘体，所述盘体的上表面上设有第一凹槽及第二凹槽，所述第一凹槽为由盘体的上表面向下凹进形成的圆环形槽，所述第二凹槽为由该第一凹槽的底面向下凹进形成的圆环形槽，所述第一凹槽的内径大于第二凹槽的内径，所述盘体的下表面上设有第三凹槽，该第三凹槽为由盘体的下表面向上凹进形成的圆环形槽，所述环槽为圆环状，其由盘体的侧面中部向内凹进形成。2.如权利要求1所述的多晶硅还原炉的绝缘盘，其特征在于:所述第一凹槽及第二凹槽的中心与通孔的中心相同。3.如权利要求2所述的多晶硅还原炉的绝缘盘，其特征在于:所述第三凹槽与盘体上表面的第二凹槽上下对应，且大小相同。4.如权利要求1所述的多晶硅还原炉的绝缘盘，其特征在于:所述盘体于通孔周缘的上、下两侧分别设有一锥形环槽，每一锥形环槽分别由通孔的顶端及底端向通孔的中部呈渐缩状延伸。5.如权利要求1至4任何一项所述的多晶硅还原炉的绝缘盘，其特征在于:所述盘体的直径为200mm，所述通孔的直径为80mm，所述第一凹槽的直径为134.5mm，该第二凹槽与第三凹槽的直径相同，均为128mm。【专利摘要】本技术提出了一种多晶硅还原炉的绝缘盘，包括盘体，其中部设有一贯穿盘体上、下表面的圆形的通孔，该盘体为氮化硅盘体，所述盘体的上表面上设有第一凹槽及第二凹槽，所述第一凹槽为由盘体的上表面向下凹进形成的圆环形槽，所述第二凹槽为由该第一凹槽的底面向下凹进形成的圆环形槽，所述第一凹槽的内径大于第二凹槽的内径，所述盘体的下表面上设有第三凹槽，该第三凹槽为由盘体的下表面向上凹进形成的圆环形槽，所述环槽为圆环状，其由盘体的侧面中部向内凹进形成。本技术中的绝缘盘由于设有环槽，增大了绝缘盘自身的弹性系数，对导体组件有一个缓冲作用，大大提高了导体组件的受挤压能力，且为氮化硅绝缘盘，绝缘及稳定性好。【IPC分类】C0本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅还原炉的绝缘盘，包括盘体，该盘体包括圆形的上表面、与该上表面相对的圆形的下表面及连接于该上、下表面之间的侧面，其中部设有一贯穿盘体上、下表面的圆形的通孔，其特征在于：所述盘体为氮化硅盘体，所述盘体的上表面上设有第一凹槽及第二凹槽，所述第一凹槽为由盘体的上表面向下凹进形成的圆环形槽，所述第二凹槽为由该第一凹槽的底面向下凹进形成的圆环形槽，所述第一凹槽的内径大于第二凹槽的内径，所述盘体的下表面上设有第三凹槽，该第三凹槽为由盘体的下表面向上凹进形成的圆环形槽，所述环槽为圆环状，其由盘体的侧面中部向内凹进形成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，
申请(专利权)人：新德隆特种陶瓷大连有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21