A polysilicon reduction furnace electrode assembly, including graphite support base, graphite support base comprises a first conductive arm and second conductive arm, a first conductive arm is provided with a first installation part installed silicon core, second conductive arm is arranged on the installation of the second silicon core installation department. The electrode assembly of the polysilicon reduction furnace of the invention increases the density of the silicon core by twice, and the utilization rate of heat and material is improved and the cost is lowered when a reduction furnace is used for reducing reaction.
【技术实现步骤摘要】
多晶硅还原炉的电极组件
本专利技术涉及一种电极组件,尤其涉及一种多晶硅还原炉的电极组件。
技术介绍
多晶硅生产过程中,还原炉内电极穿过还原炉底盘,将硅芯通过石墨套件及绝缘陶瓷环套件固定在电极上,通过电极为硅芯接通电流,加热硅芯,从而达到发生还原化学气相沉积所需温度。其中石墨套件主要起到固定硅芯、支撑硅棒和与硅芯接触导通电流的作用,绝缘陶瓷环主要起到隔绝电极与还原炉底盘,绝缘保护、避免放电现象发生的作用。一般还原炉底盘上通过电极组件设置有多个电极,相应地,每个电极设置有一个石墨卡瓣和卡套,用于将一个硅芯夹持固定在其上,形成一一对应的设置关系,这样在还原炉内可以有多个电极与硅芯,还原炉可以一次生长多个硅棒,然而,这样的还原炉的生产效率不足,成本较高。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是:提供一种生产成本更低的还原炉的电极组件。一种多晶硅还原炉的电极组件,包括石墨支撑底座,石墨支撑底座包括第一导电臂和第二导电臂,第一导电臂上设置有安装硅芯的第一安装部,第二导电臂上设置有安装硅芯的第二安装部。本专利技术的多晶硅还原炉电极组件,将硅芯的密度增加一倍,在还原炉发生还原反应的时候,热量、物料利用率提高,成本降低。附图说明图1为本专利技术实施方式一多晶硅还原炉的电极组件的示意图。图2为图1所示的多晶硅还原炉的电极组件的石墨支撑底座的剖视图。图3为图2所示的石墨支撑底座的俯视图。图4为本专利技术实施方式二的石墨支撑底座的俯视图。图5为本专利技术实施方式三的石墨支撑底座的俯视图。图6为本专利技术实施方式四的石墨支撑底座的剖视图。图7为本专利技术实施方式五的石墨支撑底座的剖 ...
【技术保护点】
一种多晶硅还原炉的电极组件,包括石墨支撑底座,其特征在于:石墨支撑底座包括第一导电臂和第二导电臂,第一导电臂上设置有安装硅芯的第一安装部,第二导电臂上设置有安装硅芯的第二安装部。
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉的电极组件,包括石墨支撑底座,其特征在于:石墨支撑底座包括第一导电臂和第二导电臂,第一导电臂上设置有安装硅芯的第一安装部,第二导电臂上设置有安装硅芯的第二安装部。2.如权利要求1所述的多晶硅还原炉的电极组件,其特征在于,第一导电臂与第二导电臂相互对称。3.如权利要求1所述的多晶硅还原炉的电极组件,其特征在于,石墨支撑底座还包括第三导电臂,第三导电臂上设置有安装硅芯的第三安装部。4.如权利要求3所述的多晶硅还原炉的电极组件,其特征在于,第一导电臂、第二导电臂和第三导电臂均匀分布,相邻导电臂的夹角为120度。5.如权利要求3所述的多晶硅还原炉的电极组件,其特征在于,石墨支撑底座还包括第四导电臂...
【专利技术属性】
技术研发人员:齐林喜,喻波,陈建宇,赵亮,郝爱科,
申请(专利权)人:内蒙古盾安光伏科技有限公司,
类型:发明
国别省市:内蒙古,15
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