The invention discloses a production process for the production of trichlorosilane cold hydrogenation, the process by preheating the hydrogen chloride gas to the appropriate range, make full use of the heat synthesis of chemical reaction, the conversion rate of the reduced electric heater load and also reduces the consumption of raw materials.
【技术实现步骤摘要】
一种提高冷氢化生产三氯氢硅转化率的生产工艺
本专利技术属于化学工艺领域,尤其涉及一种冷氢化生产三氯氢硅的原材料输入工艺。
技术介绍
三氯氢硅是制造硅烷偶联剂和其它有机硅产品的重要中间体,还是作为制备半导体级多晶硅和太阳能级多晶硅的重要原材料。随着目前国际国内对多晶硅需求的日益增加,高质量以及大批量的三氯氢硅向市场稳定供应显得尤为重要。冷氢化生产三氯氢硅是目前解决还原副产的四氯化硅以及提供还原生产用三氯氢硅的重要生产方法,但是由于温度、压力、设备材质等生产的要求,致使冷氢化生产的过程中,转化率普遍偏低。目前,常见的冷氢化生产三氯氢硅的办法是在高温条件下,由硅粉、四氯化硅与氢气在流化床中发生化学反应。由于冷氢化反应基本接近热量平衡,而所需求的反应需要长期维持在较高温度,考虑到后续的热量损失严重,整个工艺对热量需求较大;另一方面,氯化氢的补入,则增加了流化床内合成反应热,如果不能充分利用这部分热能则造成资源的浪费。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种可降低能耗,提高转换率的冷氢化生产三氯氢硅的生产工艺。为解决上述技术问题,本专利技术揭露一种提高冷氢化生产三氯氢硅转化率的生产工艺,该工艺包括如下步骤:(1)将氯气和氢气在石墨炉内反应制备得到氯化氢气体;(2)将制备的氯化氢气体经过水冷和深冷除去部分冷凝酸,再经过除雾干燥进一步脱水;(3)将脱水后的氯化氢气体通过压缩机进行加压;(4)将加压后的氯化氢气体预热至200℃~400℃后送入冷氢化流化床与硅粉发生化学反应得到三氯氢硅。进一步地,所述步骤(3)中氯化氢气体加压至1.5~2.0MPa。 ...
【技术保护点】
一种提高冷氢化生产三氯氢硅转化率的生产工艺,包括如下步骤:(1)使氯气和氢气在石墨炉内反应制备得到氯化氢气体;(2)将制备的氯化氢气体经过水冷和深冷除去部分冷凝酸,再经过除雾干燥进一步脱水;(3)将脱水后的氯化氢气体通过压缩机进行加压;(4)将加压后的氯化氢气体预热至200℃~400℃后送入冷氢化流化床与硅粉发生化学反应得到三氯氢硅。
【技术特征摘要】
1.一种提高冷氢化生产三氯氢硅转化率的生产工艺,包括如下步骤:(1)使氯气和氢气在石墨炉内反应制备得到氯化氢气体;(2)将制备的氯化氢气体经过水冷和深冷除去部分冷凝酸,再经过除雾干燥进一步脱水;(3)将脱水后的氯化氢气体通过压缩机进行...
【专利技术属性】
技术研发人员:齐林喜,陈建宇,赵涛,赵军,
申请(专利权)人:内蒙古盾安光伏科技有限公司,
类型:发明
国别省市:内蒙古,15
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