本实用新型专利技术涉及一种多晶硅还原炉的密封结构，包括炉筒法兰（1）、底盘法兰（2）和密封垫片（3），密封垫片（3）放置在炉筒法兰（1）的底部的垫片槽内，并在炉筒法兰（1）上设置炉筒法兰冷却水道（11），在垫片上方相应位置处的炉筒法兰（1）底部设置炉筒法兰垫片冷却水道（12），在底盘法兰（2）顶部中间设置底盘冷却水道（21）以及在垫片下方相应位置处的底盘法兰（2）顶部边缘设置底盘法兰垫片冷却水道（22），同时增高底盘（4）伸入炉筒（5）到炉筒底部位置的凸台（41）高度。本实用新型专利技术能降低与垫片接触的金属温度，并能降低垫片附件物料气的流动及其温度，达到理想的降温效果，减少因温度导致垫片再次使用时回弹性能的大幅度降低，提高了密封垫片的使用寿命。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种多晶硅还原炉的密封结构，包括炉筒法兰（1)、底盘法兰（2)和密封垫片(3)，密封垫片（3)放置在炉筒法兰（1)的底部的垫片槽内，并在炉筒法兰（1)上设置炉筒法兰冷却水道（11)，在垫片上方相应位置处的炉筒法兰(1)底部设置炉筒法兰垫片冷却水道（12)，在底盘法兰（2)顶部中间设置底盘冷却水道（21)以及在垫片下方相应位置处的底盘法兰（2)顶部边缘设置底盘法兰垫片冷却水道（22)，同时增高底盘(4)伸入炉筒（5)到炉筒底部位置的凸台（41)高度。本技术能降低与垫片接触的金属温度，并能降低垫片附件物料气的流动及其温度，达到理想的降温效果，减少因温度导致垫片再次使用时回弹性能的大幅度降低，提高了密封垫片的使用3寿命。【专利说明】多晶硅还原炉的密封结构
本技术涉及一种多晶硅核心设备--还原炉，尤其是涉及多晶硅还原炉的密 封结构。多晶硅制备
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技术介绍
目前生产多晶硅的企业多采用西门子法，其核心设备--还原炉的使用频率达每 5~7天生产一炉，设备有较高的拆装率，而设备内物料气温度有700°C左右。在这样的工况 条件下，按常规一般垫片会选择金属缠绕垫片。但金属缠绕垫片的使用基本上是一次性的， 而生产多晶硅的过程中，垫片是必不可少的物品，且由于此垫片均为大型非标垫，制作和采 购费用很高，大大提高了生产成本。 为降低生产成本，目前均使用聚四氟乙烯垫片，为满足垫片的使用要求，在早期还 原炉密封结构设计时，是将垫片设置在底盘法兰上，且除了在底盘内设置底盘冷却水道外， 还在底盘法兰的垫片处设置冷却水道以降低金属的表面温度，从而达到垫片的使用条件。 但通过经验证明，在如此工况下运行此种结构存在缺点： 1、每次拆装硅料时，垫片表面容易被划伤； 2、清理硅渣时需仔细，否则再次密封时可能划伤法兰密封面； 3、垫片在运行时容易受高温熔化，发生泄漏。 4、垫片重复利用仅在5次以内。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足，提供一种能提高垫片使用寿命的多晶硅还 原炉的密封结构。 本技术的目的是这样实现的：一种多晶硅还原炉的密封结构，包括炉筒法兰、 底盘法兰和密封垫片，其特征在于所述密封垫片放置在炉筒法兰的底部的垫片槽内，并在 炉筒法兰内圈设置炉筒法兰冷却水道，在垫片上方相应位置处的炉筒法兰底部设置炉筒法 兰垫片冷却水道，在底盘法兰顶部中间设置底盘冷却水道以及在垫片下方相应位置处的底 盘法兰顶部边缘设置底盘法兰垫片冷却水道，同时增高底盘伸入炉筒到炉筒底部位置的凸 台高度。 本技术的有益效果是： 1、由于垫片放置位置调整到炉筒法兰上，底盘清理较简单，将炉筒吊开放置在清 洗平台上时不容易划伤垫片表面。 2、增高底盘伸入炉筒到炉筒底部位置的凸台高度，可以防止硅棒对垫片的直接热 辐射，减少炉筒法兰与底盘法兰间物料气的流动，形成死区。 3、在炉筒法兰内设置冷却结构，并在炉筒法兰和底盘法兰垫片位置同时设置冷却 水道，进一步降低法兰的金属温度，冷却炉筒法兰与底盘法兰间的物料气温度，保证垫片的 工作温度不至于过高影响其回弹性，从而影响使用寿命。 通过上述结构的调整，可以最大程度的提高垫片的多次连续使用，达到15次左 右，还能满足设备运行时的安全性。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术涉及的多晶硅还原炉整体结构的示意图。 图2为图1的I放大图。 图中附图标记： 炉筒法兰1、炉筒法兰冷却水道11、炉筒法兰垫片冷却水道12 ; 底盘法兰2、底盘冷却水道21、底盘法兰垫片冷却水道22 ; 密封垫片3 底盘4、凸台41; 炉筒 5。 【具体实施方式】 参见图图2,图1为本技术涉及的多晶硅还原炉整体结构的示意图。图2 为图1的I放大图。由图1和图2可以看出，本技术多晶硅还原炉的密封结构，包括炉 筒法兰1、底盘法兰2和密封垫片3,炉筒法兰1和底盘法兰2通过紧固件连接。密封垫片 3放置在炉筒法兰1的底部的垫片槽内，并在炉筒法兰1内圈设置炉筒法兰冷却水道11，在 垫片上方相应位置处的炉筒法兰1底部设置炉筒法兰垫片冷却水道12,在底盘法兰2顶部 中间设置底盘冷却水道21以及在垫片下方相应位置处的底盘法兰2顶部边缘设置底盘法 兰垫片冷却水道22,同时增高底盘4伸入炉筒5到炉筒底部位置的凸台41高度。【权利要求】1. 一种多晶娃还原炉的密封结构,包括炉筒法兰（I)、底盘法兰（2 )和密封垫片（3 ),其 特征在于所述密封垫片（3 )放置在炉筒法兰（1)的底部的垫片槽内，并在炉筒法兰（1)上设 置炉筒法兰冷却水道（11)，在垫片上方相应位置处的炉筒法兰（1)底部设置炉筒法兰垫片 冷却水道（12)，在底盘法兰（2)顶部中间设置底盘冷却水道（21)以及在垫片下方相应位置 处的底盘法兰（2)顶部边缘设置底盘法兰垫片冷却水道（22)，同时增高底盘（4)伸入炉筒 (5)到炉筒底部位置的凸台（41)高度。【文档编号】C01B33/021GK204022480SQ201420461499【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年8月15日 优先权日:2014年8月15日 【专利技术者】赵建, 王中华, 盛斌, 朱敏, 詹水华 申请人:江苏双良新能源装备有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种多晶硅还原炉的密封结构，包括炉筒法兰（1）、底盘法兰（2）和密封垫片（3），其特征在于所述密封垫片（3）放置在炉筒法兰（1）的底部的垫片槽内，并在炉筒法兰（1）上设置炉筒法兰冷却水道（11），在垫片上方相应位置处的炉筒法兰（1）底部设置炉筒法兰垫片冷却水道（12），在底盘法兰（2）顶部中间设置底盘冷却水道（21）以及在垫片下方相应位置处的底盘法兰（2）顶部边缘设置底盘法兰垫片冷却水道（22），同时增高底盘（4）伸入炉筒（5）到炉筒底部位置的凸台（41）高度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵建，王中华，盛斌，朱敏，詹水华，
申请(专利权)人：江苏双良新能源装备有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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