一种84对棒多晶硅还原炉底盘制造技术

技术编号:39982169 阅读:6 留言:0更新日期:2024-01-09 01:36
本技术公开了一种84对棒多晶硅还原炉底盘,包括电极孔、进料喷嘴、尾气孔、底盘面板、底盘法兰,电极孔、进料喷嘴、尾气孔按设计要求分布在底盘上,与底盘法兰、底盘面板等共同组合成还原炉底盘,底盘上两两成组设有84对电极组共设有168个电极孔位;电极孔呈同心圆状分布为沿底盘中心向外设置有6环电极孔,底盘最外圈设有8个尾气孔;底盘从内向外,设置6圈进料喷嘴。对还原反应过程中产生的各种热量进行整合,优化了炉内热场的分布,充分利用硅棒间的热辐射,有效提高还原炉单炉产能,降低电耗,提升品质;优化了反应过程中炉内的气场分布,有效提升产品品质,提高开车成功率。在以上优化前提下,提供一种稳定的大型多晶硅还原炉。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及多晶硅生产设备,具体是指一种84对棒多晶硅还原炉底盘


技术介绍

1、改良西门子生产多晶硅是生产多晶硅料的主流成熟工艺:以高纯的sihcl3与高纯h2作为原料,在1050~1100℃的高纯硅芯表面发生气相沉积反应,硅芯在该工况下不断生成单质硅,最终得到高纯多晶硅棒产品,其中还原炉是该工艺的核心设备。

2、目前国际、国内应用最为成熟的炉型是24~40对棒的中小型还原炉,虽然也有少部分72对棒还原炉大炉型,但是由于72对棒还原炉的设计理念与40对棒等炉型差异较大,导致实际运行效果不理想(电耗高,产量低)。因此为解决上述问题,有必要开发一种与40对棒等同系列的大型的,高产节能的还原炉,并合理的进行底盘布置,充分利用热辐射,进一步降低还原炉运行电耗,提升国内多晶硅行业竞争力。鉴于以上,有必要提出一种84对棒多晶硅还原炉底盘来解决上述问题。


技术实现思路

1、本技术的目的是为了解决上述技术问题,而提供一种84对棒多晶硅还原炉底盘。

2、为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案:一种84对棒多晶硅还原炉底盘,包括电极孔、进料喷嘴、尾气孔、底盘面板、底盘法兰,所述电极孔、进料喷嘴、尾气孔按设计要求分布在底盘上,与底盘法兰、底盘面板共同组合成还原炉底盘,底盘上两两成组设有84对电极组共设有168个电极孔位;所述电极孔呈同心圆状分布为沿底盘中心向外设置有6环电极孔,底盘最外圈设有8个尾气孔;底盘从内向外,设置6圈进料喷嘴。

3、进一步的,所述电极孔分别最外圈电极以及内圈电极,所述最外圈电极的相邻两个电极孔间距即为s外,各个内圈电极之间的相邻两个电极孔间距记为s内,所述s外小于s内。

4、进一步的,最外圈的电极孔与还原炉的炉筒内壁之间留有控温间距。

5、进一步的,所述控温间距为250~400mm。

6、进一步的,所述的6环电极孔从内向外,电极孔在各环的数量分别为:8、16、24、32、40、48。

7、进一步的,所述的6圈进料喷嘴,各圈的进料喷嘴从内向外设置数量分别为:1、4、8、16、16、16,合计61个进料喷嘴。

8、进一步的,同环之中,相邻两个电极孔的间距为230mm~280mm。

9、进一步的,同环之中,相邻两个电极孔的间距为235mm。

10、进一步的,所述尾气孔的直径为dn150或dn200,尾气管采用水冷夹套结构。

11、进一步的,各环的电极孔采用同圈的相邻两个电极孔的硅芯在顶端搭接。

12、与现有技术相比,本技术的有益效果是:对还原反应过程中产生的各种热量进行整合,优化了炉内热场的分布,充分利用硅棒间的热辐射,有效提高还原炉单炉产能,降低电耗,提升品质;对还原反应过程中进料口布置进行了调整,结合每圈电极分布形式采用内圈均布,外圈集中分布,优化了反应过程中炉内的气场分布,有效提升产品品质,提高开车成功率。在以上优化前提下,提供一种稳定的大型多晶硅还原炉,从而大幅降低多晶硅生产成本,提高多晶硅产品品质。

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【技术保护点】

1.一种84对棒多晶硅还原炉底盘,包括电极孔(3)、进料喷嘴(4)、尾气孔(5)、底盘面板(2)、底盘法兰(1),所述电极孔(3)、进料喷嘴(4)、尾气孔(5)按设计要求分布在底盘上,与底盘法兰(1)、底盘面板(2)共同组合成还原炉底盘,其特征在于,底盘上两两成组设有84对电极组共设有168个电极孔(3)位;所述电极孔(3)呈同心圆状分布为沿底盘中心向外设置有6环电极孔(3),底盘最外圈设有8个尾气孔(5);底盘从内向外,设置6圈进料喷嘴(4)。

2.根据权利要求1所述的一种84对棒多晶硅还原炉底盘,其特征在于,所述电极孔(3)分别最外圈电极以及内圈电极,所述最外圈电极的相邻两个电极孔(3)间距即为S外,各个内圈电极之间的相邻两个电极孔(3)间距记为S内,所述S外小于S内。

3.根据权利要求1所述的一种84对棒多晶硅还原炉底盘,其特征在于,最外圈的电极孔(3)与还原炉的炉筒内壁之间留有控温间距(6)。

4.根据权利要求3所述的一种84对棒多晶硅还原炉底盘,其特征在于,所述控温间距(6)为250~400mm。

5.根据权利要求1所述的一种84对棒多晶硅还原炉底盘,其特征在于,所述的6环电极孔(3)从内向外,电极孔(3)在各环的数量分别为:8、16、24、32、40、48。

6.根据权利要求1所述的一种84对棒多晶硅还原炉底盘,其特征在于,所述的6圈进料喷嘴(4),各圈的进料喷嘴(4)从内向外设置数量分别为:1、4、8、16、16、16,合计61个进料喷嘴(4)。

7.根据权利要求1所述的一种84对棒多晶硅还原炉底盘,其特征在于,同环之中,相邻两个电极孔(3)的间距为230mm~280mm。

8.根据权利要求7所述的一种84对棒多晶硅还原炉底盘,其特征在于,同环之中,相邻两个电极孔(3)的间距为235mm。

9.根据权利要求1所述的一种84对棒多晶硅还原炉底盘,其特征在于,所述尾气孔(5)的直径为DN150或DN200,尾气管采用水冷夹套结构。

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【技术特征摘要】

1.一种84对棒多晶硅还原炉底盘,包括电极孔(3)、进料喷嘴(4)、尾气孔(5)、底盘面板(2)、底盘法兰(1),所述电极孔(3)、进料喷嘴(4)、尾气孔(5)按设计要求分布在底盘上,与底盘法兰(1)、底盘面板(2)共同组合成还原炉底盘,其特征在于,底盘上两两成组设有84对电极组共设有168个电极孔(3)位;所述电极孔(3)呈同心圆状分布为沿底盘中心向外设置有6环电极孔(3),底盘最外圈设有8个尾气孔(5);底盘从内向外,设置6圈进料喷嘴(4)。

2.根据权利要求1所述的一种84对棒多晶硅还原炉底盘,其特征在于,所述电极孔(3)分别最外圈电极以及内圈电极,所述最外圈电极的相邻两个电极孔(3)间距即为s外,各个内圈电极之间的相邻两个电极孔(3)间距记为s内,所述s外小于s内。

3.根据权利要求1所述的一种84对棒多晶硅还原炉底盘,其特征在于,最外圈的电极孔(3)与还原炉的炉筒内壁之间留有控温间距(6)。

4.根据权利要求3所述的一种84...

【专利技术属性】
技术研发人员:盛斌李子林
申请(专利权)人:江苏双良新能源装备有限公司
类型:新型
国别省市:

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