屏蔽栅MOSFET的形成方法技术

本发明专利技术提供了一种屏蔽栅MOSFET的形成方法，包括：提供衬底，衬底的表面形成有硬质掩膜层，衬底内形成有沟槽，硬质掩膜层露出沟槽，将沟槽从下至上分为相邻的第一部分沟槽和第二部分沟槽；在第一部分沟槽内依次形成第一栅介质层、屏蔽栅和隔离层，屏蔽栅位于第一部分沟槽的底部，隔离层位于屏蔽栅的表面，屏蔽栅通过第一栅介质层与第一部分沟槽的内壁隔开；使用各向同性的刻蚀方法刻蚀第二部分沟槽的侧壁，使得刻蚀后的第二部分沟槽的侧壁呈现斜坡形状的碗状结构；去除硬质掩膜层；在第二部分沟槽内依次形成栅氧化介质层和第二栅多晶硅，第二栅多晶硅的侧壁与隔离层的表面形成的角度大于90°。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种屏蔽栅mosfet的形成方法。

技术介绍

1、屏蔽栅mosfet是目前最先进的功率mosfet器件技术，具有更低的导通电阻、更快的开关速度等优点。在系统应用中拥有更低的导通损耗和更低的开关损耗，系统拥有更高的转换和传输效率。

2、请参照图1，现有技术的屏蔽栅mosfet包括：衬底101，依次位于衬底101内并且靠近衬底101表面的阱区102和源区103。从源区103的表面延伸至衬底101内部的屏蔽栅沟槽，屏蔽栅沟槽内形成有屏蔽栅。屏蔽栅包括屏蔽栅多晶硅104，屏蔽栅多晶硅104与屏蔽栅沟槽的底部和侧壁之间通过栅介质层105隔开；位于屏蔽栅多晶硅104上方的隔离层106，位于隔离层106上的第二栅多晶硅107，第二栅多晶硅107与屏蔽栅沟槽的侧壁之间通过栅氧化介质层108隔开。屏蔽栅mosfet还包括位于源区103的表面和第二栅多晶硅107的表面的接触孔介质层109，接触孔介质层109内形成有接触孔110，接触孔110穿过源区103延伸至阱区102的内部。

3、然而，现有技术中，产生接触孔到第二栅多本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种屏蔽栅MOSFET的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的屏蔽栅MOSFET的形成方法，其特征在于，所述衬底包括晶圆。

3.如权利要求1所述的屏蔽栅MOSFET的形成方法，其特征在于，所述硬质掩膜层的材料包括氮化硅。

4.如权利要求1所述的屏蔽栅MOSFET的形成方法，其特征在于，在所述衬底内形成沟槽的方法包括：

5.如权利要求4所述的屏蔽栅MOSFET的形成方法，其特征在于，所述沟槽的侧壁为直壁的形状。

6.如权利要求1所述的屏蔽栅MOSFET的形成方法，其特征在于，所述第一部分沟槽的侧壁为直壁的形状。<...

【技术特征摘要】

1.一种屏蔽栅mosfet的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的屏蔽栅mosfet的形成方法，其特征在于，所述衬底包括晶圆。

3.如权利要求1所述的屏蔽栅mosfet的形成方法，其特征在于，所述硬质掩膜层的材料包括氮化硅。

4.如权利要求1所述的屏蔽栅mosfet的形成方法，其特征在于，在所述衬底内形成沟槽的方法包括：

5.如权利要求4所述的屏蔽栅mosfet的形成方法，其特征在于，所述沟槽的侧壁为直壁的形状。

6.如权利要求1所述的屏蔽栅mosfet的形成方法，其特征在于，所述第一部分沟槽的侧壁为直壁的形状。

7.如权利要求1所述的屏蔽栅mos...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜树范，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：