【技术实现步骤摘要】
201610242891
【技术保护点】
一种外延生长监控图形，其特征在于：所述外延生长监控图形分为X和Y方向的两组，每组都包含有一封闭的口字型图形，其中X组图形的口字型图形水平方向两外侧均有垂直的外框图形；Y组图形的口字型图形上下两外侧均有水平的外框图形，所述的垂直或水平的外框图形均与口字型图形之间存在间隔。
【技术特征摘要】
1.一种外延生长监控图形，其特征在于：所述外延生长监控图形分为X和Y方向的两组，每组都包含有一封闭的口字型图形，其中X组图形的口字型图形水平方向两外侧均有垂直的外框图形；Y组图形的口字型图形上下两外侧均有水平的外框图形，所述的垂直或水平的外框图形均与口字型图形之间存在间隔。2.如权利要求1所述的外延生长监控图形，其特征在于：所述的口字型图形的深度为2±0.02μm。3.如权利要求1所述的外延生长监控图形，其特征在于：所述的外框图形是两平行的线或沟槽，长度为60～80μm，宽为2～2.5μm，高度或深度为2μm。4.如权利要求1所述的外延生长监控图形，其特征在于：所述的外框图形与中间口字...
【专利技术属性】
技术研发人员：王辉，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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