【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种监测湿法药液是否正常的方法。
技术介绍
1、在半导体芯片生产时，湿法工艺是很重要的一道工序，其过程为整卡晶圆进入到特定的湿法槽中进行特定功能的清洗，如去胶，刻蚀膜层，去除颗粒等，晶圆的正/背面都会接触到湿法药液，因此晶圆的背面一般会有sin薄层保护，或者是单纯的si，保证不被刻蚀或者均匀刻蚀；当湿法药液异常时，若不能被检测出，就会影响晶圆状态(如背面平整度)，影响接下来的所有工艺，最终导致电性能和良率的不合格。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种监测湿法药液是否正常的方法，用于解决现有技术中湿法刻蚀液异常导致产品电性能和良率下降的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种监测湿法药液是否正常的方法，至少包括：
3、步骤一、提供晶圆，所述晶圆背面为裸si；
4、步骤二、将所述晶圆的背面进行处理，制备为点检晶圆；
5、步骤三、利用所述点检晶圆检测湿法刻蚀药液是否合规。
6、优选地，步骤二中利用ash mattson机台对所述晶圆的背面进行处理。
7、优选地，步骤二中将所述晶圆的背面进行处理的过程包括ash处理。
8、优选地，步骤二中的所述ash处理包括高温asher处理和等离子处理。
9、优选地，步骤二中的所述ash处理包括高温asher处理的温度为250℃。
10、优选地，步骤三中若检
11、优选地，步骤三中若检测的湿法刻蚀药液不合规，则所述点检晶圆的背面较正常的晶圆背面产生色差。
12、如上所述，本专利技术的监测湿法药液是否正常的方法，具有以下有益效果：本专利技术通过制备点检晶圆，定期检测湿法刻蚀药液是否出现异常，可以避免由于湿法刻蚀药液异常在后续工艺中导致产品异常，从而可以提高产品电性能和良率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种监测湿法药液是否正常的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的监测湿法药液是否正常的方法，其特征在于：步骤二中利用ASHmattson机台对所述晶圆的背面进行处理。
3.根据权利要求1所述的监测湿法药液是否正常的方法，其特征在于：步骤二中将所述晶圆的背面进行处理的过程包括ASH处理。
4.根据权利要求3所述的监测湿法药液是否正常的方法，其特征在于：步骤二中的所述ASH处理包括高温Asher处理和等离子处理。
5.根据权利要求4所述的监测湿法药液是否正常的方法，其特征在于：步骤二中的所述ASH处理包括高温Asher处理的温度为250℃。
6.根据权利要求1所述的监测湿法药液是否正常的方法，其特征在于：步骤三中的所述湿法刻蚀药液含有ACT940羟胺组分。
7.根据权利要求1所述的监测湿法药液是否正常的方法，其特征在于：步骤三中若检测的湿法刻蚀药液不合规，则不合规的所述湿法药液比合规的湿法药液含水量高。
8.根据权利要求1所述的监测湿法药液是否正常的方法，其特征在于：步骤三中若检测
...【技术特征摘要】
1.一种监测湿法药液是否正常的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的监测湿法药液是否正常的方法，其特征在于：步骤二中利用ashmattson机台对所述晶圆的背面进行处理。
3.根据权利要求1所述的监测湿法药液是否正常的方法，其特征在于：步骤二中将所述晶圆的背面进行处理的过程包括ash处理。
4.根据权利要求3所述的监测湿法药液是否正常的方法，其特征在于：步骤二中的所述ash处理包括高温asher处理和等离子处理。
5.根据权利要求4所述的监测湿法药液是否正常的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑书红，王乐平，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。