开尔文通孔互连结构的电镜样品制备方法技术

本发明专利技术提供一种开尔文通孔互连结构的电镜样品制备方法，所述制备方法包括：提供芯片，其包括衬底及衬底上的互连层，互连层中具有待制样的开尔文通孔互连结构；研磨芯片至暴露开尔文通孔互连结构上的互连线；在开尔文通孔互连结构周围形成至少两个开口暴露衬底的表面；形成导电层覆盖开尔文通孔互连结构上的互连线、开口的内壁及开口的周边区域；对开尔文通孔互连结构执行电镜样品制备。本发明专利技术中，可通过开口及其中的导电层，避免制备电镜样品时的炸孔问题，从而提高制样成功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种开尔文通孔互连结构的电镜样品制备方法。

技术介绍

1、在半导体领域，对不合格芯片进行失效分析非常重要，若失效分析制样不合格或不成功，会使得芯片的失效原因得不到发现或及时发现，造成芯片持续失效，特别是对于车载芯片，某些可能制样的机会只有一次的情况下，分析制样就尤为重要。

2、目前，通过聚焦离子束显微镜(fib)制备透射电子显微镜(tem)样品对芯片的缺陷(失效结构)进行截面观察是一种较为常见的失效分析方法。其中，金属互连层中相邻两层金属互连线之间仅有一个通孔互连结构进行电性连接的通孔称为kelvin通孔(开尔文通孔互连结构)，在采用聚焦离子束(fib)制样时制备kelvin通孔的电镜失效样品为例，特别容易炸孔(如图1所示)，使得kelvin通孔的电镜样品制样失败，极不利于失效分析。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种开尔文通孔互连结构的电镜样品制备方法，用以提高其制样成功率。

2、为解决上述技术问题，本专利技术提供的开尔文通孔互连结构的电镜样本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种开尔文通孔互连结构的电镜样品制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的开尔文通孔互连结构的电镜样品制备方法，其特征在于，所述开口距所述开尔文通孔互连结构的距离大于或等于第一预设距离。

3.根据权利要求2所述的开尔文通孔互连结构的电镜样品制备方法，其特征在于，所述第一预设距离为6微米-8微米。

4.根据权利要求1所述的开尔文通孔互连结构的电镜样品制备方法，其特征在于，所述导电层的材质包括金属铂，所述导电层的厚度为200埃-350埃。

5.根据权利要求2所述的开尔文通孔互连结构的电镜样品制备方法，其特征在于，在研磨所述芯片至...

【技术特征摘要】

1.一种开尔文通孔互连结构的电镜样品制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的开尔文通孔互连结构的电镜样品制备方法，其特征在于，所述开口距所述开尔文通孔互连结构的距离大于或等于第一预设距离。

3.根据权利要求2所述的开尔文通孔互连结构的电镜样品制备方法，其特征在于，所述第一预设距离为6微米-8微米。

4.根据权利要求1所述的开尔文通孔互连结构的电镜样品制备方法，其特征在于，所述导电层的材质包括金属铂，所述导电层的厚度为200埃-350埃。

5.根据权利要求2所述的开尔文通孔互连结构的电镜样品制备方法，其特征在于，在研磨所述芯片至暴露所述开尔文通孔互连结构上的互连线后，

6.根据权利要求5所述的开尔文通孔互连结构的电镜样品制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑书红，华晓峰，芮志贤，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：