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本发明提供一种开尔文通孔互连结构的电镜样品制备方法,所述制备方法包括:提供芯片,其包括衬底及衬底上的互连层,互连层中具有待制样的开尔文通孔互连结构;研磨芯片至暴露开尔文通孔互连结构上的互连线;在开尔文通孔互连结构周围形成至少两个开口暴露衬底...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种开尔文通孔互连结构的电镜样品制备方法,所述制备方法包括:提供芯片,其包括衬底及衬底上的互连层,互连层中具有待制样的开尔文通孔互连结构;研磨芯片至暴露开尔文通孔互连结构上的互连线;在开尔文通孔互连结构周围形成至少两个开口暴露衬底...