【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种超级结器件深沟槽浓度监测方法。
技术介绍
1、超级结器件通过深沟槽掺杂外延填充结构与周围的外延层形成pn结，通过匹配深沟槽掺杂外延填充结构的掺杂浓度以使得pn结浓度匹配耗尽达到需求耐压，一旦pn结浓度失衡，则器件的耐压失效，从而需要对深沟槽掺杂外延填充结构的掺杂浓度进行监测。
2、相关技术通常在深沟槽掺杂外延填充结构中开设形成多个宽度不同长度相同的深沟槽以进行深沟槽掺杂外延填充结构的电阻量测，通过量测的电阻表征该深沟槽掺杂外延填充结构浓度。
3、但是随着技术的发展，超级结器件的尺寸越来越小，所需要用到的外延浓度逐渐变浓，相关技术采用深沟槽掺杂外延填充结构电阻的方法容易受到深沟槽的尺寸大小和深沟槽侧壁倾斜度的影响，从而容易导致深沟槽掺杂外延填充结构电阻量测的精度较差，不利于深沟槽掺杂外延填充结构浓度的监测。
技术实现思路
1、本申请提供了一种超级结器件深沟槽浓度监测方法，可以解决相关技术中用于表征深沟槽掺杂外延填充结构浓度的量...
【技术保护点】
1.一种超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，其特征在于，所述超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，其特征在于，所述量测所有深沟槽掺杂外延填充结构中各个量测位的长度电阻的步骤，包括：
3.如权利要求2所述的超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，其特征在于，所述当前深沟槽掺杂外延填充结构中当前量测位的长度电阻为：当前深沟槽掺杂外延填充结构的首端量测位电阻、当前量测位电阻，以及所述首端量测位与所述当前量测位之间电阻之和。
4.如权利...
【技术特征摘要】
1.一种超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，其特征在于，所述超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，其特征在于，所述量测所有深沟槽掺杂外延填充结构中各个量测位的长度电阻的步骤，包括：
3.如权利要求2所述的超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，其特征在于，所述当前深沟槽掺杂外延填充结构中当前量测位的长度电阻为：当前深沟槽掺杂外延填充结构的首端量测位电阻、当前量测位电阻，以及所述首端量测位与所述当前量测位之间电阻之和。
4.如权利要求1所述的超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，其特征在于，所述分别线性拟合各个深沟槽掺杂外延填充结构的所有量测位与对应长度电阻之间的第一线性关系的步骤，包括：
5.如权利要求1所述的超级结器件深沟槽掺杂外延填充结构浓度监测方法，其特征在于，所述分别线性拟合各个深沟槽掺杂外延填充结构的所有量测位与对应长度电阻之间的第一线性关系的步骤中，所述第一线性关系为：r＝ρ*l+2r0；其中，r为深沟槽掺杂外延填充结构的长度电阻变量，l为深...
【专利技术属性】
技术研发人员：支立明，徐昊文，张国华，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。