温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种超级结器件深沟槽浓度监测方法，包括：沿长度方向将各条深沟槽掺杂外延填充结构从一端至另一端设置多个等间隔的量测位；量测所有深沟槽掺杂外延填充结构中各个量测位的长度电阻；分别线性拟合各个深沟槽掺...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。