卧式石墨烯卷对卷连续生长设备制造技术

本发明专利技术公开了一种能够提高生产效率，降低能耗，保证产品品质的卧式石墨烯卷对卷连续生长设备。该卧式石墨烯卷对卷连续生长设备，包括真空上料室、高温工艺腔室、真空取料室、驱动装置；所述真空上料室和真空取料室均设置有真空泵；所述高温工艺腔室上设置有快速加热装置；所述高温工艺腔室一端与真空上料室连接且连通，另一端与真空取料室连接且连通；所述高温工艺腔室的两端均设置有匀流隔热板以及快速冷却装置；所述真空上料室内设置有用于检测石墨烯生长基底张力的张力检测装置，所述石墨烯基底收料辊与收料导向辊之间设置有用于冷却检测石墨烯生长基底的冷却装置。采用该卧式石墨烯卷对卷连续生长设备能够提高产品品质，节约生产成本。

【技术实现步骤摘要】
卧式石墨烯卷对卷连续生长设备
本专利技术涉及一种石墨烯的生长设备，尤其是一种卧式石墨烯卷对卷连续生长设备。
技术介绍
众所周知的：石墨烯由于其超强的热稳定性、化学稳定性、机械稳定性以及高透光性和电子迁移率等优点，因而被认为是制备导电膜材料最佳的材料之一。化学气象沉积法CVD:CVD法是可控制备大面积石墨烯的一种最常用的方法。它的主要原理是利用平面金属作为基底和催化剂，在高温环境中通入一定量的碳源前驱体和氢气，相互作用后在金属表面沉积而得到石墨烯。CVD管式炉：设备简单，操作容易，但是反应温度高，时间较长，耗费能量较大，受石英管式炉的直径和恒温区长度影响无法制备大面积的石墨烯；此外，由于基底材料没有压力/张力控制，薄膜生长容易形成褶皱，降低平整度。现有技术常规的CVD管式炉生长石墨烯受石英管式炉的直径和炉体恒温区长度的影响，石墨烯生长基底尺寸有限，另外由于石墨烯生长工艺温度高，因此工艺流程为：金属箔片预处理、装样、抽真空、加热、通保护气体、通工艺气体、升温至1000摄氏度左右，保温生长、通保护气体，冷却至室温、取样。现有的生产工艺存在如下缺点：1)效率低；2)耗能高；3)外观品质差；4本文档来自技高网...

【技术保护点】
卧式石墨烯卷对卷连续生长设备，包括真空上料室(1)、高温工艺腔室(7)、真空取料室(8)、驱动装置；所述真空上料室(1)内设置有石墨烯生长基底放料辊(2)，所述真空取料室(8)内设置有石墨烯基底收料辊(9)以及收料导向辊(10)；所述真空上料室(1)和真空取料室(8)均设置有真空泵；所述石墨烯生长基底放料辊(2)以及石墨烯基底收料辊(9)均通过驱动装置，驱动转动；所述高温工艺腔室(7)上设置有快速加热装置(5)；其特征在于：所述高温工艺腔室(7)一端与真空上料室(1)连接且连通，另一端与真空取料室(8)连接且连通；所述高温工艺腔室(7)的两端均设置有匀流隔热装置(6)以及快速冷却装置(4)；所...

【技术特征摘要】
1.卧式石墨烯卷对卷连续生长设备，包括真空上料室(1)、高温工艺腔室(7)、真空取料室(8)、驱动装置；所述真空上料室(1)内设置有石墨烯生长基底放料辊(2)，所述真空取料室(8)内设置有石墨烯基底收料辊(9)以及收料导向辊(10)；所述真空上料室(1)和真空取料室(8)均设置有真空泵；所述石墨烯生长基底放料辊(2)以及石墨烯基底收料辊(9)均通过驱动装置，驱动转动；所述高温工艺腔室(7)上设置有快速加热装置(5)；其特征在于：所述高温工艺腔室(7)一端与真空上料室(1)连接且连通，另一端与真空取料室(8)连接且连通；所述高温工艺腔室(7)的两端均设置有匀流隔热装置(6)以及快速冷却装置(4)；所述真空上料室(1)内设置有用于检测石墨烯生长基底(16)张力的张力检测装置(3)，所述真空取料室(8)内设置有用于冷却检测石墨烯生长基底(16)的冷却装置(11)，所述冷却装置位于石墨烯基底收料辊(9)与收料导向辊(10)之间。2.如权利要求1所述的卧式石墨烯卷对卷连续生长设备，其特征在于：所述驱动装置包括第一驱动装置(12)以及第二驱动装置(13)；所述第一驱动装置(12)与石墨烯生长基底放料辊(2)传动连接；所述第二驱动装置(13)与石墨烯基底收料辊(9)传动连接。3.如权利要求2所述的卧式石墨烯卷对卷连续生长设备，其特征在于：所述石墨烯生长基底放料辊(2)具有的转轴穿过真空上料室(1)，且通过离合器(14)与第一驱动装置(12)传动连接；所述石墨烯基底收料辊(9)具有的转轴穿过...

【专利技术属性】
技术研发人员：李占成，伍俊，史浩飞，李昕，朱鹏，黄德萍，段银武，余杰，
申请(专利权)人：重庆墨希科技有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆,50