阵列基板及制作方法技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及制作方法，该阵列基板包括：一玻璃基板；栅电极，其设置于该玻璃基板上；第一绝缘层，其沉积于该玻璃基板以及栅电极上；半导体层，其设置于该第一绝缘层上并位于栅电极上方；平坦层，其设置于第一绝缘层上；源极和漏极，该源极和漏极均设置于平坦层以及半导体层上；像素电极层，其设置于平坦层以及该漏极上；第二绝缘层，其设置于平坦层、半导体层、源极以及漏极上。本发明专利技术具有避免在开孔处形成气泡、提高开口率的有益效果，并且该平坦层还增大了源极、漏极与栅电极之间的距离，可以提高抗静电能力。

【技术实现步骤摘要】
201610216334

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：一玻璃基板；栅电极，其设置于该玻璃基板上；第一绝缘层，其沉积于该玻璃基板以及栅电极上；半导体层，其设置于该第一绝缘层上并位于栅电极上方；平坦层，其设置于第一绝缘层上；源极，该源极设置于平坦层以及半导体层上；漏极，该漏极设置于平坦层以及半导体层上；像素电极层，其设置于平坦层以及该漏极上；第二绝缘层，其设置于平坦层、半导体层、源极以及漏极上。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：一玻璃基板；栅电极，其设置于该玻璃基板上；第一绝缘层，其沉积于该玻璃基板以及栅电极上；半导体层，其设置于该第一绝缘层上并位于栅电极上方；平坦层，其设置于第一绝缘层上；源极，该源极设置于平坦层以及半导体层上；漏极，该漏极设置于平坦层以及半导体层上；像素电极层，其设置于平坦层以及该漏极上；第二绝缘层，其设置于平坦层、半导体层、源极以及漏极上。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层包括：非晶硅层，其沉积于所述第一绝缘层上；掺杂半导体层，其设置于所述非晶硅层上。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层采用氮化硅和/或二氧化硅。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层采用氮化硅和/或二氧化硅。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦层采用纳米粉末状材料或液态绝缘材料采用3D打印形成。6.根据权利要求1所述的阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏慧，黄添钧，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44