【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种降低沟槽mosfet栅极电阻的方法。
技术介绍
1、沟槽mosfet的栅极电阻(rg)越大，寄生电容的充电时间越长，mosfet不能在短时间内充分导通，从而引起较大的功耗，不适用于高频应用领域，降低栅极多晶硅电阻从而降低rg可以进一步开拓沟槽mosfet的应用市场。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种降低沟槽mosfet栅极电阻的方法，用于解决现有技术中沟槽mosfet的栅极电阻过大的问题。
2、为实现上述目的及其它相关目的，本申请提供一种降低沟槽mosfet栅极电阻的方法，包括：
3、步骤一，提供一衬底，在衬底上形成外延层，在外延层中形成沟槽栅；
4、步骤二，实施体区和源区注入，改善沟槽栅非晶化的效果；
5、步骤三，形成牺牲层，覆盖外延层和沟槽栅，而后实施退火处理；
6、步骤四，去除牺牲层后，形成金属层，覆盖外延层和沟槽栅；
7、步骤五，金属层和沟槽栅...
【技术保护点】
1.一种降低沟槽MOSFET栅极电阻的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽栅的顶部低于所述外延层的顶部。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源区注入的能量为50KeV-70KeV。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用共形沉积方法形成所述牺牲层。
5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括氮化硅。
6.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为950埃-1050埃。
7.根据权利要求1所...
【技术特征摘要】
1.一种降低沟槽mosfet栅极电阻的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽栅的顶部低于所述外延层的顶部。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源区注入的能量为50kev-70kev。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用共形沉积方法形成所述牺牲层。
5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括氮化硅。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：刘景望，李亮，熊淑平，田磊，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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