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本申请提供一种降低沟槽MOSFET栅极电阻的方法，包括：步骤一，提供一衬底，在衬底上形成外延层，在外延层中形成沟槽栅；步骤二，实施体区和源区注入，改善沟槽栅非晶化的效果；步骤三，形成牺牲层，覆盖外延层和沟槽栅，而后实施退火处理；步骤四，去除...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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