半导体发光元件晶片、半导体发光元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供半导体发光元件晶片、半导体发光元件及其制造方法。即便为了提高半导体发光元件的光取出效率而在基板的背面侧采用比较大的凹凸，仍能容易地检测并确定作为形成用于从半导体发光元件晶片的状态向一个个半导体发光元件分离的切断起点部的位置的分离区域。半导体发光元件晶片由具有第1面和作为与其相反侧的面的第2面的基板、形成于该第1面的半导体发光元件层构成。在半导体发光元件晶片形成多个半导体发光元件基体，该半导体发光元件基体在相邻的半导体发光元件基体彼此的边界部具有分离区域。在基板的第2面中，不与分离区域相当的部分为粗糙面部，与分离区域相当的部分相比不与分离区域相当的部分平坦，并形成切断起点部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光元件晶片、半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法。
技术介绍
关于半导体发光兀件的光取出效率的提尚，提出有各种方案。例如，在专利文献1中，关于倒装元件(FC元件)之类的、主要从基板的背面侧(未形成半导体层一侧)取出光的元件，提出有对基板的背面侧实施加工而形成凹凸，形成粗糙面化的结构。在该结构中，在从半导体发光元件晶片的状态向一个个半导体发光元件分离的过程中，向基板照射激光，在基板的内部形成改质部，形成用于使该改质部分离的切断起点部。此外，为了能使激光的焦光点正确地对准基板的内部的作为切断起点部的位置，作为基板的背面侧的凹凸的程度，将表面粗糙度Ra形成为3nm?25nm。另外，在专利文献2中，提出有作为基板的背面侧的凹凸的程度，将凹凸的高度形成为300nm?500nm的技术。另外，在专利文献3、专利文献4中，提出有在从半导体发光元件晶片的状态向一个个半导体发光元件分离的过程中，预先在基板的背面侧形成作为切断起点部的槽(刻痕线)的方法。专利文献1:日本特开2010-103424号公报专利文献2:日本特开2006-100518号公报专利文献3:日本特开2005-109432号公报专利文献4:日本特开平11-354841号公报然而，在专利文献1中，为了正确地对准激光的焦光点，作为基板的背面侧的凹凸的程度，将表面粗糙度Ra形成为3nm?25nm，因此对于如专利文献2那样的、将比较大的凹凸形成于基板的背面侧的技术，难以将专利文献1的技术直接应用。另外，在专利文献2的技术中应用专利文献3或专利文献4的技术，在形成用于将基板的背面侧粗糙面化的凹凸后，形成作为切断起点部的槽，以此认为可实现前述的课题的解决，不过在形成槽时，即使想要形成笔直的槽，受到凹凸的形状的影响，仍担心槽以蜿蜒的状态形成。进而，在使用这样的槽进行分离工序的情况下，无法将半导体发光元件彼此很好地分离，即便形成分离，受到槽的蜿蜒的影响，仍担心半导体发光元件的分离的部分的形状产生偏差，担心造成由此引起的、半导体发光元件间的性能的偏差。作为其他的解决手段，考虑在凹凸的形成之前，在基板的背面侧设置槽，不过可以预见在凹凸的形成时，槽的部分也会受到影响。例如，当较浅地设定槽的深度的情况下，槽混入凹凸之中，当进行分离工序时，即便使用光学显微镜等，也担心依靠人的目视观察所进行的确认不易确定作为切断起点部的槽的位置。或者也考虑高于凹凸的程度较深地形成槽的深度，不过当在半导体发光元件晶片加工槽后，在向形成凹凸的工序输送时，担心半导体发光元件晶片以槽为起点断裂进而破损。甚至作为其他的解决手段，还考虑将切断起点部形成于半导体发光元件层侧，而非半导体发光元件晶片的基板的背面侧的方法。不过在采用这样的方法的情况下，在半导体发光元件晶片的分离工序时，由于使形成半导体发光元件层一侧与支承台抵接，从基板的背面侧抵靠分离刃实施加压，因此担心会因对于半导体发光元件层的加压致使半导体发光元件层损伤。
技术实现思路
在本专利技术中，提出即使为了提高半导体发光元件的光取出效率而在基板的背面侧采用比较大的凹凸，也能够消除在从半导体发光元件晶片的状态向一个个半导体发光元件分离时的前述的顾虑事项的、半导体发光元件晶片、半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法。更详细地说，提出能够容易地检测并确定作为形成用于从半导体发光元件晶片的状态向一个个半导体发光元件分离的切断起点部的位置的分离区域，进而在半导体发光元件的分离工序中能够抑制由于对半导体发光元件的加压致使半导体发光元件的损伤的、半导体发光元件晶片、半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法。本专利技术提供一种半导体发光元件晶片，包括:基板，该基板具有第1面和作为与该第1面相反侧的面的第2面；以及半导体发光元件层，该半导体发光元件层形成于第1面，上述半导体发光元件晶片的特征在于，在半导体发光元件晶片形成多个半导体发光元件基体，半导体发光元件基体在相邻的半导体发光元件基体彼此的边界部具有分离区域，分离区域半导体以包围发光元件基体中的功能部分的周围的方式形成，在第2面中，不与分离区域相当的部分为粗糙面部，与分离区域相当的部分相比不与分离区域相当的部分平坦，在分离区域形成有切断起点部。在本专利技术的半导体发光元件中，该半导体发光元件是通过将形成于半导体发光元件晶片的多个半导体发光元件基体分离而形成的，上述半导体发光元件晶片包括:具有第1面和作为与该第1面相反侧的面的第2面的基板；以及形成于第1面的半导体发光元件层，上述半导体发光元件的特征在于，在相邻的半导体发光元件基体彼此的边界部，在至少一部分具有半导体发光元件基体彼此分离后残留的残留部分，残留部分以包围半导体发光元件中的功能部分的周围的方式形成，在第2面中，不与残留部分相当的部分为粗糙面部，与残留部分相当的部分相比不与残留部分相当的部分平坦。在本专利技术的半导体发光元件的制造方法中，该半导体发光元件的制造方法具有:在基板中的第1面形成半导体发光元件层的工序；在作为与第1面的相反侧的面的第2面实施粗糙面化的工序；以及将相邻的半导体发光元件基体彼此在边界部的分离区域分离的工序，上述半导体发光元件的制造方法的特征在于，在第2面中，对包围半导体发光元件基体中的功能部分的周围的部位、且为与分离区域相当的部分实施平坦化的平坦化工序；在第2面中，对分离区域以外的部分实施粗糙面化的粗糙面化工序；以及在经过平坦化工序之后，在分离区域形成切断起点部的加工工序。在本专利技术的半导体发光元件晶片中，对于形成于半导体发光元件晶片的、相邻的半导体发光元件基体彼此的边界部的分离区域，在作为基板的第2面侧的背面侧，相比不与分离区域相当的部分亦即粗糙面部平坦。因此，与专利文献1中所公开的半导体发光元件晶片相比，尽管在基板的背面侧采用了比较大的凹凸，却能够容易地检测并确定作为形成用于从半导体发光元件晶片的状态向一个个半导体发光元件分离的切断起点部的位置的分离区域。另外，切断起点部的形成也可容易地进行。进而，由于将分离区域相比半导体发光元件基体的功能部分设置在更靠外侧，因此将基板的背面侧的平坦部进行所需最小限度地保留。在本专利技术的半导体发光元件中，将从半导体发光元件晶片的状态向一个个半导体发光元件分离时的残留部分设置在相比半导体发光元件的功能部分靠外侧的部位，并且该残留部分在基板的第2面侧亦即背面侧，相比不与残留部分相当的部分亦即粗糙面部平坦。因此，与专利文献1中公开的半导体发光元件相比，除了作为基板的外周部分的微小的区域以外，在基板的背面侧的大部分区域形成比较大的凹凸，并且分离时所需的平坦的残留部分被进行所需最小限度地保留。在本专利技术的半导体发光元件的制造方法中，在作为基板的第2面的背面形成切断起点部的部位被实施平坦化。因此，与专利文献1中公开的半导体发光元件的制造方法相比，尽管在基板的背面侧采用了比较大的凹凸，却能够容易地检测并确定作为形成用于从半导体发光元件晶片的状态向一个个半导体发光元件分离的切断起点部的位置的分离区域，并且能够容易地进行切断起点部的形成。进而，由于将分离区域相比半导体发光元件层的功能部分设置在更靠外侧，因此将基板的背面侧的平坦部进行所需最小限度地保留。【附图说明】图1为本专利技术的半导体发光元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件晶片，所述半导体发光元件晶片包括：基板，该基板具有第1面和作为与该第1面相反侧的面的第2面；以及半导体发光元件层，该半导体发光元件层形成于所述第1面，所述半导体发光元件晶片的特征在于，在所述半导体发光元件晶片形成有多个半导体发光元件基体，所述半导体发光元件基体在相邻的所述半导体发光元件基体彼此的边界部具有分离区域，所述分离区域以包围所述半导体发光元件基体中的功能部分的周围的方式形成，在所述第2面中，不与所述分离区域相当的部分为粗糙面部，与所述分离区域相当的部分相比不与所述分离区域相当的部分平坦，在所述分离区域形成有切断起点部。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：牧野浩明，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP