碳化硅半导体元件的制造方法技术

通过在p型碳化硅半导体部(1)的表面形成石墨烯层(11)之后，在石墨烯层(11)的表面形成金属电极(2)，从而在p型碳化硅半导体部(1)和金属电极(2)的接合界面形成偶极。由此，使在p型碳化硅半导体部(1)和金属电极(2)的接合界面产生的电位差减小，p型碳化硅半导体部(1)和金属电极(2)的接触成为低电阻欧姆接触。p型碳化硅半导体部(1)的载流子浓度为1×1016/cm3以上。石墨烯层(11)具有单层结构或者三层以下的层叠结构。石墨烯层(11)对p型碳化硅半导体部(1)的覆盖率为p型碳化硅半导体部(1)的表面积的30％以上。如此，能够再现性良好地形成低电阻的欧姆接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201580003543

【技术保护点】
一种碳化硅半导体元件的制造方法，其特征在于，形成p型碳化硅半导体部和金属电极之间的接触，所述碳化硅半导体元件的制造方法包括：第一工序，在所述p型碳化硅半导体部的表面，形成使在所述p型碳化硅半导体部与所述金属电极的接合界面产生的电位差减小的石墨烯层；第二工序，在所述石墨烯层的表面形成所述金属电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤井健志，佐藤麻里子，稻本拓朗，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP