碳化硅半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

碳化硅半导体装置100，其特征在于，包括：n型半导体区域114，形成在n‑型异质外延层112的表面；p型体区域116，形成在比n型半导体区域114更深的位置上；p‑型沟道区域118，被形成为从n‑型异质外延层的表面侧到达p型体区域；以及n++型源极区域120，从n‑型异质外延层的表面侧向p型体区域形成，其中，p‑型沟道区域以及n++型源极区域被形成为，p‑型沟道区域与n++型源极区域之间残存有n型半导体区域，并且，p‑型沟道区域与n型半导体区域的界面中，外周侧的界面从平面上看位于比p型体区域的外周面116a更加内侧的平面位置上。能够依靠一次的掩膜工序来形成沟道区域，并且，能够在不发生短沟道效应的程度上以实用的流程，并且高精度地划定足够长的沟道长度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种碳化硅半导体装置及其制造方法。
技术介绍
图18为以往的碳化硅半导体装置700的主要部分的断面图。以往的碳化硅半导体装置700如图18所示，包括：n+型低电阻碳化硅基板710；n-型异质外延(Heteroepitaxial)层712，形成于n+型低电阻碳化硅基板710上；p型体(Body)区域716，形成于该n-型外延层712的表面；沟道(Channel)区域718,形成于p型体区域716的表面；n++型源极(Source)区域720以及p++型体接触(Body contact)区域722；以及栅(Gate)电极726，至少是在沟道区域718上经由栅极绝缘膜724形成。再有，图18中符号728表示层间绝缘膜，符号730表示源电极，符号732表示漏(Drain)电极。先行技术文献专利文献专利文献1专利第4502407号公报专利文献2专利第4173629号公报在使用硅(Silicon)的功率场效应晶体管(Power MOSFET)中，利用双重扩散法自主整合地形成沟道区域的方法已被广泛地使用。在使用碳化硅功率场效应晶体管中，同样的方法(第一方法)也已被公开(例如，参照上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化硅半导体装置，其特征在于，包括：第一导电型异质外延层；第一导电型的第一半导体区域，被形成在所述第一导电型异质外延层的表面，掺杂物浓度高于所述第一导电型异质外延层；第二导电型体区域，被形成在比所述第一导电型的第一半导体区域更深的位置上；第二导电型沟道区域，被形成为从所述第一导电型异质外延层的表面侧贯穿所述第一导电型的第一半导体区域后到达所述第二导电型体区域，掺杂物浓度低于所述第二导电型体区域；第一导电型的第二半导体区域，被从所述第一导电型异质外延层的表面侧向所述第二导电型体区域形成，掺杂物浓度高于所述第一导电型的第一半导体区域；第二导电型体接触区域，被形成为从所述第一导电型异质外延层的表...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.26 JP PCT/JP2014/0812321.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，包括：第一导电型异质外延层；第一导电型的第一半导体区域，被形成在所述第一导电型异质外延层的表面，掺杂物浓度高于所述第一导电型异质外延层；第二导电型体区域，被形成在比所述第一导电型的第一半导体区域更深的位置上；第二导电型沟道区域，被形成为从所述第一导电型异质外延层的表面侧贯穿所述第一导电型的第一半导体区域后到达所述第二导电型体区域，掺杂物浓度低于所述第二导电型体区域；第一导电型的第二半导体区域，被从所述第一导电型异质外延层的表面侧向所述第二导电型体区域形成，掺杂物浓度高于所述第一导电型的第一半导体区域；第二导电型体接触区域，被形成为从所述第一导电型异质外延层的表面侧贯穿所述第一导电型的第一半导体区域后到达所述第二导电型体区域，掺杂物浓度高于所述第二导电型体区域；以及栅电极，至少在所述第二导电型沟道区域上通过栅极绝缘膜形成，其中，所述第二导电型沟道区域以及所述第一导电型的第二半导体区域被形成为，所述第二导电型沟道区域与所述第一导电型的第二半导体区域之间残存有所述第一导电型的第一半导体区域，并且，所述第二导电型沟道区域与所述第一导电型的第一半导体区域的界面中，外周侧的界面从平面上看位于比所述第二导电型体区域的外周面更加内侧的平面位置上。2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于：其中，所述栅电极的端部从平面上看位于所述第二导电型沟道区域与所述第一导电型的第二半导体区域之间残存的所述第一导电型的第一半导体区域上3.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于：其中，所述栅电极的端部从平面上看位于所述第一导电型的第二半导体区域上。4.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于：其中，所述第二导电型沟道区域与所述第一导电型的第二半导体区域之间残存的所述第一导电型的第一半导体区域，与所述第一导电型的第二半导体区域之间形成掺杂物浓度高于所述第一导电型的第一半导体区域，并且低于所述第一导电型的第二半导体区域的第一导电型的第三半导体区域，所述栅电极的端部从平面上看位于所述第一导电型的第三半导体区域上。5.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，包括：第一导电型异质外延层；第二导电型体区域，被形成在所述第一导电型异质外延层的表面侧的所定深度的位置上；第二导电型沟道区域，被形成为从所述第一导电型异质外延层的表面侧到达所述第二导电型体区域，掺杂物浓度低于所述第二导电型体区域；第一导电型的第二半导体区域，被从所述第一导电型异质外延层的表面侧向所述第二导电型体区域形成，掺杂物浓度高于所述第一导电型异质外延层；第二导电型体接触区域，被形成为从所述第一导电型异质外延层的表面侧到达所述第二导电型体区域，掺杂物浓度高于所述第二导电型体区域；以及栅电极，至少在所述第二导电型沟道区域上通过栅极绝缘膜形成，其中，所述第二导电型沟道区域以及所述第一导电型的第二半导体区域被形成为，所述第二导电型沟道区域与所述第一导电型的第二半导体区域之间残存有所述第一导电型异质外延层，并且，所述第二导电型沟道区域与所述第一导电型异质外延层的界面中，外周侧的界面从平面上看位于比所述第二导电型体...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村俊一，菅井昭彦，井上徹人，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP