【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体器件,尤其是一种MOSFET器件。
技术介绍
超结MOSFET功率器件基于电荷平衡技术,可以降低寄生电容,使得超结MOSFET功率器件具有极快的开关特性,可以降低开关损耗,实现更高的功率转换效率。 超结MOSFET功率器件在开启和关断过程中,米勒电容(Crss) 及其所对应的栅漏电容(Cgd) 对超结MOSFET功率器件的开关速度起主导作用,若能降低Cgd,就可提高超结MOSFET功率器件的开关速度、降低开关损耗;同时,超结MOSFET功率器件在开启和关断时,栅漏电容(Cgd) 会发生突变,这使得超结MOSFET功率器件的电磁干扰严重。
技术实现思路
针对现有技术中存在的不足,本技术提供一种栅槽交错变化的沟槽栅超结MOSFET器件,采用栅槽宽度交错变化的沟槽栅结构,能够把超结MOSFET功率器件在开启或关断时的栅漏电容突变分摊到多个电压节点,从而降低由栅漏电容突变引起的电磁干扰。本技术采用的技术方案是:一种栅槽交错变化的沟槽栅超结MOSFET器件,包括横向交错分布的第一纵向结构和第二纵向结构;在每个纵向结构中,包括至少一个元胞;所述元胞包括:N+型衬底,N+型衬底背面淀积漏极金属形成MOSFET器件的漏极,N+型衬底上生长有N-型外延层;在元胞的N-型外延层两侧自顶部向下形成有P型柱深槽结构;在元胞的N-型外延层顶部中间形成有沟槽栅,在沟槽栅的侧壁和底部形成有起到隔离作用的栅氧层;元胞沟槽栅的栅槽宽度在横向交错分布的第一纵向结构和第二纵向结构中横向交错变化;在元胞的N-型外延层顶部沟槽栅侧壁栅氧层与P型柱深槽结构之间形成有P型体区;P型体 ...
【技术保护点】
一种栅槽交错变化的沟槽栅超结MOSFET器件,其特征在于:包括横向交错分布的第一纵向结构和第二纵向结构;在每个纵向结构中,包括至少一个元胞;所述元胞包括:N+型衬底(1),N+型衬底(1)背面淀积漏极金属形成MOSFET器件的漏极,N+型衬底(1)上生长有N‑型外延层(2);在元胞的N‑型外延层(2)顶部中间形成有沟槽栅(5),在沟槽栅(5)的侧壁和底部形成有起到隔离作用的栅氧层(4);元胞沟槽栅(5)的栅槽宽度在横向交错分布的第一纵向结构和第二纵向结构中横向交错变化。
【技术特征摘要】
1.一种栅槽交错变化的沟槽栅超结MOSFET器件,其特征在于:包括横向交错分布的第一纵向结构和第二纵向结构;在每个纵向结构中,包括至少一个元胞;所述元胞包括:N+型衬底(1),N+型衬底(1)背面淀积漏极金属形成MOSFET器件的漏极,N+型衬底(1)上生长有N-型外延层(2);在元胞的N-型外延层(2)顶部中间形成有沟槽栅(5),在沟槽栅(5)的侧壁和底部形成有起到隔离作用的栅氧层(4);元胞沟槽栅(5)的栅槽宽度在横向交错分布的第一纵向结构和第二纵向结构中横向交错变化。2.如权利要求1所述的栅槽交错变...
【专利技术属性】
技术研发人员:白玉明,章秀芝,张海涛,
申请(专利权)人:无锡同方微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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