本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是一种超结MOSFET渐变终端结构及其制作方法，包括N型衬底和形成于N型衬底上的N型外延层，N型外延层包括元胞区及包围元胞区的终端区，其中元胞区中形成有至少一个晶体管单元，晶体管单元包括形成于N型外延层...

本发明涉及雪崩耐量测试设备技术领域，尤其是一种UIS测试电路及其测试方法，UIS测试电路括直流电源、电感器、电流测量模块和MOS开关管，MOS开关管的栅极连接于信号发生模块，MOS开关管的漏极经电感器连接于直流电源的正极，MOS开关管的...

本实用新型提供一种超结MOSFET单结终端结构，包括N+型衬底及形成于所述N+型衬底上的N‑型外延层；N‑型外延层包括元胞区和包围所述元胞区的终端区；元胞区中形成有至少一个晶体管单元，晶体管单元包括形成于所述N‑型外延层中的一对元胞区P...

本实用新型提供一种提高UIS的超结MOSFET结构，包括N+型衬底及形成于所述N+型衬底上的N‑型外延层，N‑型外延层包括元胞区和包围所述元胞区的终端区；元胞区中形成有至少一个晶体管单元，晶体管单元包括形成于所述N‑型外延层中的一对元胞...

本实用新型提供一种超结MOSFET多结终端结构，包括N+型衬底及形成于所述N+型衬底上的N‑型外延层；N‑型外延层包括元胞区和包围所述元胞区的终端区；元胞区中形成有至少一个晶体管单元，晶体管单元包括形成于N‑型外延层中的一对元胞区P柱；...

本实用新型公开了一种超结MOSFET结构，它包括N型重掺杂衬底及N型轻掺杂外延层；且N型轻掺杂外延层包括元胞区及终端区；在元胞区中形成有至少一个晶体管单元，晶体管单元包括形成于N型轻掺杂外延层中的一对元胞区P柱，元胞区P柱的顶端均连接有...

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其是一种平面栅超结MOSFET器件，包括N+型衬底、N‑型外延层、P型柱深槽结构、P型体区、N+型源区、栅氧化层、多晶硅栅极和源极金属。本实用新型的平面栅超结MOSFET器件采用P型体区与P型柱深槽结...

本发明提供一种双沟槽场效应管及制备方法，方法包括：提供第一导电类型的衬底以及第一导电类型的掺杂层、制作深沟槽区结构、形成深沟槽电极、制作沟槽栅区结构、于掺杂层的表面形成第二导电类型层、于第二导电类型层的表面形成第一导电类型层、制作隔离层...

本实用新型涉及IGBT制造技术领域，尤其是一种集成肖特基二极管的新型沟槽IGBT，包括N‑型基区、位于N‑型基区上表面的三个多晶栅、位于N‑型基区上表面的P型基区、位于P型基区上表面的N+集电区、位于N‑型基区下表面的N+缓冲层和位于N...

本实用新型涉及高压IGBT器件终端技术领域，尤其是一种减小器件漏电的高压IGBT器件终端，包括n‑漂移区、第一p环注入基区、第二p环注入基区、终端截止环、第一终端金属场板、第二终端金属场板、二氧化硅绝缘层和第三终端金属场板。本实用新型的...

本实用新型涉及高压IGBT器件终端技术领域，尤其是一种新型超结逆导IGBT结构，包括N‑型基区、P型基区、N+集电区、集电极、P柱、和背部P柱，其中P柱为多个且分布在N‑型基区的内两侧，背部P柱为两个且位于集电极的上表面，两个背部P柱分...

本实用新型涉及IGBT制造技术领域，尤其是一种具有底部厚氧结构的FS型IGBT，包括N‑型基区、多晶栅、P型基区、N+集电区、栅氧层和背P+发射区，其中栅氧层包括上栅氧化层和沟槽底部厚氧层，上栅氧化层位于多晶栅与N+集电区、P型基区之间...

本实用新型涉及IGBT制造技术领域，尤其是一种具有底部厚氧结构的FS型IGBT，包括N‑型基区、多晶栅、P型基区、N+集电区、栅氧层和背P+发射区，其中栅氧层包括上栅氧化层和沟槽底部厚氧层，上栅氧化层位于多晶栅与N+集电区、P型基区之间...

本实用新型涉及IGBT器件制造技术领域，尤其是一种适用于集成电路的新型结构超结IGBT，包括n‑型基区、P型基区、N+集电区、背P+层发射区、集电极和P柱。本实用新型的超结IGBT集成了超结MOSFET结构，即在n‑型基区的内两侧插入多...

本实用新型涉及IGBT器件制造技术领域，尤其是一种集成栅电阻并带有检测栅电阻功能的IGBT版图结构，包括与发射极电连接的有源区连接金属、与栅极电连接的栅极信号连接金属、栅极多晶硅和栅极多晶硅连接孔。本实用新型的栅极多晶硅连接孔和栅极信号...

本实用新型提出一种多门极IGTO封装结构，包括GTO器件和驱动电路板，GTO器件的门极和阴极与驱动电路板电连接，其特征在于：所述GTO器件四周均匀分布有若干个引线柱，引线柱与GTO器件的门极电连接，驱动电路板上设有与引线柱数目相同且对称...

本实用新型涉及一种具有缓冲层结构的高压超结MOSFET器件，包括若干元胞结构，其特征是：单个元胞包括N+衬底，在N+衬底的正面设置低阻N型缓冲层，在低阻N型缓冲层的正面设置低阻N型外延层，在低阻N型外延层两侧形成由低阻N型外延层正面向背...

本实用新型一种高可靠性交流电子开关，包括MOSFET器件组和IGBT器件组，MOSFET器件组为两个MOSFET器件串联而成，两个MOSFET器件的源极相连，其特征在于：IGBT器件组为两个IGBT器件串联而成，两个IGBT器件的发射极...

本实用新型提供一种SJ-MOS管电路的拓扑结构，包括第一SJ-MOS管Q101和第二SJ-MOS管Q102，以及快恢复二极管D1；第一SJ-MOS管Q101和第二SJ-MOS管Q102的栅极接在一起作为复合管的栅极；第一SJ-MOS管Q...

本实用新型涉及一种多栅分布的沟槽栅超结MOSFET器件，包括元胞结构，其特征是：单个元胞包括N+衬底，在N+衬底的正面生长N－外延层，在N－外延层的正面沉积源极金属，形成MOSFET器件的源极；在所述N－外延层两侧形成由N－外延层正面向...