The utility model provides a topology of SJ-MOS tube circuit, including the first SJ-MOS tube Q101 and second SJ-MOS Q102, and D1 fast recovery diode; the first SJ-MOS gate Q101 and second SJ-MOS tube Q102 together as the gate of composite pipe; leakage cathode connection fast recovery diode D1 first SJ-MOS tube Q101 and, as a drain composite pipe; the first SJ-MOS Q101 source with second SJ-MOS tube Q102 source drain is connected to the anode; fast recovery diode D1 second SJ-MOS tubes, and as a source of composite pipe. The utility model can avoid the problem of poor reverse recovery of the parasitic diode of the Kaiyuan SJ-MOS, so that the application circuit of the SJ-MOS tube circuit topology is more stable, and the SJ-MOS tube is not easy to be damaged.
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及SJ-MOS管，尤其是一种改进的SJ-MOS管电路的拓扑结构。
技术介绍
目前使用SJ-MOS管（超结功率MOSFET）搭建的典型全桥电路如图1所示；此电路在单个SJ-MOS管续流时，SJ-MOS管内寄生二极管的恢复速度不够快，会存在SJ-MOS寄生二极管的反向恢复问题；目前的SJ-MOS由于内部结构问题，寄生二极管反向恢复特性较差，反向恢复电流很大，di/dt,dv/dt耐性较差；引起寄生二极管做续流使用时，很容易损坏。
技术实现思路
针对现有技术中存在的不足，本技术提供一种SJ-MOS管电路的拓扑结构，用于替代图1中的单个SJ-MOS管，解决SJ-MOS寄生二极管的反向恢复较差问题；本技术采用的技术方案是：一种SJ-MOS管电路的拓扑结构，包括第一SJ-MOS管Q101和第二SJ-MOS管Q102，以及快恢复二极管D1；第一SJ-MOS管Q101和第二SJ-MOS管Q102的栅极接在一起作为复合管的栅极；第一SJ-MOS管Q101的漏极连接快恢复二极管D1的阴极，并作为复合管的漏极；第一SJ-MOS管Q101的源极接第二SJ-MOS管Q102的源极；第二SJ-MOS管的漏极接快恢复二极管D1的阳极，并作为复合管的源极。进一步地，快恢复二极管D1采用MUR30120。本技术的优点在于：避开原SJ-MOS寄生二极管反向恢复很差的问题，使得SJ-MOS管电路的拓扑结构的应用电路工作更稳定，SJ-MOS管不容易损坏。附图说明图1为现有的全桥电路原理图。图2为本技术的SJ-MOS管电路的拓扑结构示意图。具体实施方式下面结合具体附图和实施例对本技术作进一步...
【技术保护点】
一种SJ‑MOS管电路的拓扑结构，其特征在于，包括第一SJ‑MOS管Q101和第二SJ‑MOS管Q102，以及快恢复二极管D1；第一SJ‑MOS管Q101和第二SJ‑MOS管Q102的栅极接在一起作为复合管的栅极；第一SJ‑MOS管Q101的漏极连接快恢复二极管D1的阴极，并作为复合管的漏极；第一SJ‑MOS管Q101的源极接第二SJ‑MOS管Q102的源极；第二SJ‑MOS管的漏极接快恢复二极管D1的阳极，并作为复合管的源极。
【技术特征摘要】
1.一种SJ-MOS管电路的拓扑结构，其特征在于，包括第一SJ-MOS管Q101和第二SJ-MOS管Q102，以及快恢复二极管D1；第一SJ-MOS管Q101和第二SJ-MOS管Q102的栅极接在一起作为复合管的栅极；第一SJ-MOS管Q101的漏极连接快恢复二极管D...
【专利技术属性】
技术研发人员：白玉明，冷强，张海涛，
申请(专利权)人：无锡同方微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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