一种沟槽型CoolMOS及其制作方法技术

本发明专利技术属于半导体器件技术领域，一种沟槽型CoolMOS，由下到上依次包括背面金属层、N+衬底、N‑外延层、P‑阱区、n+源区、绝缘层和正面金属层；N+衬底上设置有贯通N+衬底的若干超结沟槽，超结沟槽一端延伸至N‑外延层，超结沟槽内填充有P型硅；P‑阱区设置有贯通P‑阱区和n+源区的若干栅极沟槽，栅极沟槽一端延伸至N‑外延层，栅极沟槽内填充有多晶硅，多晶硅与栅极沟槽之间通过栅氧间隔设置；n+源区设置有贯通n+源区和绝缘层的若干接触孔，接触孔一端延伸至P‑阱区，接触孔内填充有导电金属，且导电金属与正面金属层接触。正面采用栅极沟槽结构，背面挖槽，填充P型硅，达到多次注入扩散P型离子的效果。

【技术实现步骤摘要】
201610375244

【技术保护点】
一种沟槽型CoolMOS，其特征在于：由下到上依次包括背面金属层(13)、N+衬底(1)、N‑外延层(2)、P‑阱区(3)、n+源区(7)、绝缘层(8)和正面金属层(10)；所述N+衬底(1)上设置有贯通所述N+衬底(1)的若干超结沟槽(11)，所述超结沟槽(11)一端延伸至所述N‑外延层(2)，所述超结沟槽(11)内填充有P型硅(12)；所述的P‑阱区(3)设置有贯通所述P‑阱区(3)和n+源区(7)的若干栅极沟槽(4)，所述栅极沟槽(4)一端延伸至N‑外延层(2)，所述栅极沟槽(4)内填充有多晶硅(6)，所述多晶硅(6)与栅极沟槽(4)之间通过栅氧(5)间隔设置；所述n+源区(7)设置有贯通所述n+源区(7)和所述绝缘层(8)的若干接触孔(9)，所述接触孔(9)一端延伸至P‑阱区(3)，所述的接触孔(9)内填充有导电金属，且所述导电金属与所述正面金属层(10)接触。

【技术特征摘要】
1.一种沟槽型CoolMOS，其特征在于：由下到上依次包括背面金属层(13)、N+衬底(1)、N-外延层(2)、P-阱区(3)、n+源区(7)、绝缘层(8)和正面金属层(10)；所述N+衬底(1)上设置有贯通所述N+衬底(1)的若干超结沟槽(11)，所述超结沟槽(11)一端延伸至所述N-外延层(2)，所述超结沟槽(11)内填充有P型硅(12)；所述的P-阱区(3)设置有贯通所述P-阱区(3)和n+源区(7)的若干栅极沟槽(4)，所述栅极沟槽(4)一端延伸至N-外延层(2)，所述栅极沟槽(4)内填充有多晶硅(6)，所述多晶硅(6)与栅极沟槽(4)之间通过栅氧(5)间隔设置；所述n+源区(7)设置有贯通所述n+源区(7)和所述绝缘层(8)的若干接触孔(9)，所述接触孔(9)一端延伸至P-阱区(3)，所述的接触孔(9)内填充有导电金属，且所述导电金属与所述正面金属层(10)接触。2.根据权利要求1所述的沟槽型CoolMOS，其特征在于：所述正面金属层(10)和导电金属为金属铝。3.根据权利要求1所述的沟槽型CoolMOS，其特征在于：所述的接触孔(9)和所述栅极沟槽(4)间隔设置。4.根据权利要求1所述的沟槽型CoolMOS，其特征在于：所述的栅极沟槽(4)与超结沟槽(11)之间垂直距离大于0。5.根据权利要求1所述的沟槽型CoolMOS，其特征在于：所述的背面金属层(13)包括由上至下依次设置的Ti层、Ni层和Ag层。6.根据权利要求1～5任一项所述的沟槽型Coo...

【专利技术属性】
技术研发人员：周炳，
申请(专利权)人：苏州同冠微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32