一种3D周围栅极MOS管的制备方法技术

本发明专利技术提供一种3D周围栅极MOS管的制备方法，包括步骤：在硅衬底上形成被浅沟槽隔离结构隔离的N型阱与P型阱；分别在N阱区之上以及P阱区之上进行硅纳米线生长，以分别形成NPN纳米线和PNP纳米线；继续沉积氧化隔离层并进行平坦化处理后，去掉位于中间部分的氧化隔离层；依次进行栅氧化层和多晶硅的沉积，并刻蚀掉位于NPN纳米线与PNP纳米线之间的多晶硅后，沉积氧化隔离层；去除部分氧化隔离层，以将覆盖在NPN纳米线与PNP纳米线之上的部分多晶硅予以暴露，并将暴露的多晶硅予以去除；再次沉积氧化隔离层后，进行源极、漏极以及栅极的制备，以形成MOS管。该方法操作简便，提高了栅极对沟道的控制能力并改善了器件性能。

【技术实现步骤摘要】
201610310451

【技术保护点】
一种3D周围栅极MOS管的制备方法，其特征在于，所述方法包括步骤：S1，在硅衬底上形成一N型阱、一P型阱以及一浅沟隔离，所述浅沟隔离将所述N型阱与所述P型阱隔离；S2，分别在NMOS硅纳米线生长位置处以及PMOS硅纳米线生长位置处进行硅纳米线生长；S3，沉积氧化隔离层并进行处理后，对所述MOS管的顶部进行平坦化处理；S4，去掉NMOS和PMOS中间的所述氧化隔离层；S5，依次进行栅氧化层和多晶硅的沉积后，刻蚀掉位于NMOS和PMOS之间的所述多晶硅；S6，继续沉积氧化隔离层后，并将该氧化隔离层刻蚀到栅极的边缘后，去除露出的多晶硅；S7，再次沉积一氧化隔离层后，继续源极、漏极以及栅极的制备。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：田武，江宁，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42