【技术实现步骤摘要】
201610305963
【技术保护点】
一种半导体结构，包括：多个栅极结构，其在布置在衬底之上的三维有源区的顶表面之上并沿着所述三维有源区的侧壁布置，所述多个栅极结构中的每一个均包括栅极电介质层、栅极电极、侧壁间隔体和位于所述侧壁间隔体之间且与所述侧壁间隔体横向相邻的电介质盖层，其中所述侧壁间隔体包括第一电介质材料，其中所述电介质盖层包括独立于且区别于所述第一电介质材料的第二电介质材料，并且其中所述侧壁间隔体的所述第一电介质材料与所述电介质盖层的所述第二电介质材料在基本竖直的界面处相交；多个接触部，所述多个接触部中的每一个均布置在所述多个栅极结构中的两个相邻栅极结构的所述侧壁间隔体之间，并且所述多个接触部中的每一个的顶表面与所述多个栅极结构的所述电介质盖层的顶表面基本上共面；以及多个接触插塞，所述多个接触插塞中的每一个均布置在所述多个栅极结构中的两个相邻栅极结构的所述侧壁间隔体之间，并且所述多个接触插塞中的每一个的顶表面与所述多个栅极结构的所述电介质盖层的所述顶表面基本上共面且与所述多个接触部的所述顶表面基本上共面。
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：多个栅极结构，其在布置在衬底之上的三维有源区的顶表面之上并沿着所述三维有源区的侧壁布置，所述多个栅极结构中的每一个均包括栅极电介质层、栅极电极、侧壁间隔体和位于所述侧壁间隔体之间且与所述侧壁间隔体横向相邻的电介质盖层，其中所述侧壁间隔体包括第一电介质材料，其中所述电介质盖层包括独立于且区别于所述第一电介质材料的第二电介质材料，并且其中所述侧壁间隔体的所述第一电介质材料与所述电介质盖层的所述第二电介质材料在基本竖直的界面处相交；多个接触部，所述多个接触部中的每一个均布置在所述多个栅极结构中的两个相邻栅极结构的所述侧壁间隔体之间，并且所述多个接触部中的每一个的顶表面与所述多个栅极结构的所述电介质盖层的顶表面基本上共面；以及多个接触插塞，所述多个接触插塞中的每一个均布置在所述多个栅极结构中的两个相邻栅极结构的所述侧壁间隔体之间，并且所述多个接触插塞中的每一个的顶表面与所述多个栅极结构的所述电介质盖层的所述顶表面基本上共面且与所述多个接触部的所述顶表面基本上共面。2.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述侧壁间隔体的所述第一电介质材料与所述电介质盖层的所述第二电介质材料相比是不同的材料。3.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个接触部中的每一个均直接布置在所述多个栅极结构中的两个相邻栅极结构的所述侧壁间隔体之间。4.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个接触插塞中的每一个均直接布置在所述多个栅极结构中的两个相邻栅极结构的所述侧壁间隔体之间。5.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述侧壁间隔体的所述第一电介质材料与所述电介质盖层的所述第二电介质材料相比是不同的材料，其中所述多个接触部中的每一个均直接布置在所述多个栅极结构中的两个相邻栅极结构的所述侧壁间隔体之间，并且其中所述多个接触插塞中的每一个均直接布置在所述多个栅极结构中的两个相邻栅极结构的所述侧壁间隔体之间。6.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个接触部包括导电材料...
【专利技术属性】
技术研发人员：O·戈隆茨卡，S·希瓦库马，C·H·华莱士，T·加尼，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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