具有预错位栅孔离子引出栅极板的离子源制造技术

现有的离子源离子引出系统，如射频源中的屏极、加速极、抑制极三层栅孔板，沿轴向间隔排列，栅孔板通常做成凸曲面形状以获得希望的空间扩散形离子束流，通常几层栅孔板上的开孔位置是相同和均布的，不同栅孔板上开的孔一一对应，当栅孔板沿轴向分开放置后，外层栅网的栅孔远离轴线的一侧易被离子束流蚀刻。本发明专利技术的方案为，靠外侧的栅孔板，栅孔位置比内侧栅板的对应栅孔位置略远离轴线，形成沿着栅板径向逐渐离散的开孔分布。本发明专利技术的有益之处是，通过合理的栅孔分布设计，使外层栅板上的栅孔相对内层栅板上的栅孔具有预错位，减少外层栅孔被离子流蚀刻变形，延长栅板的使用寿命，节约成本，使用这种具有预错位栅孔离子引出栅极板的离子源可以长期以稳定的工况工作，输出的空间扩散形离子束流不因栅孔板使用寿命的变化而改变束流截面能量分布。

Ion source with pre staggered gate hole ion extraction grid electrode plate

The ion source ion current extraction system, such as radio frequency source in the anode, accelerator, suppressor of three layer gate hole plate arranged along the axial interval, the gate hole plate is made to obtain the desired shape of convex surface shape spatial diffusion of ion beam, usually several layers of the gate hole plate on the opening position is the same as uniform, different gate orifice hole arranged on the corresponding, when the gate hole plate along the axial direction separated after the side gate hole outer grid away from the axis of the ion beam etching easily. The scheme of the invention is that the grid hole position is slightly away from the axis of the corresponding grid hole position of the inner grid plate, and the opening distribution along the radial direction of the grid plate is gradually formed. The invention is beneficial to the reasonable distribution, through the gate hole design, make the gate hole outer grid plate on the relative inner gate hole grid plate with pre dislocation, reduce the outer gate hole by etching ion flow deformation, prolong the service life of the grid plate, save the cost, the use of this ion source with pre dislocation grating ion hole grid plates can be long-term in a stable condition, the output space diffusion of ion beam does not change with the gate hole plate service life and change the beam energy distribution section.

【技术实现步骤摘要】
具有预错位栅孔离子引出栅极板的离子源
本专利技术涉及一种离子源的离子引出栅孔板的设计，属于电子

技术介绍
离子源广泛用于光学真空镀膜、材料表面精细抛光与蚀刻等领域。在高能量的离子源光学辅助镀膜时，离子源离子引出系统中的栅极孔板，既起到用高电压差拉出离子的作用，本身也受到高能离子的撞击产生孔边缘的蚀刻磨损，合理的栅极板栅孔分布设计，可以减少栅孔的蚀刻变形，延长栅孔板的使用寿命，保证离子束截面能量分布的稳定。
技术实现思路
现有的离子源离子引出系统，如考夫曼源中的屏极、加速极两层栅孔板，或射频源中的屏极、加速极、抑制极三层栅孔板，依靠定位孔定位后，沿轴向间隔排列，栅孔板上开有规则排列的几千只栅孔，不同栅孔板上开的孔一一对应，通常几层栅孔板上的开孔位置是相同和均布的。栅孔板通常做成凸曲面形状以获得希望的空间扩散形离子束流，当曲面栅孔板沿轴向分开放置后，对产生的离子流弧形运动轨迹而言，外层栅网孔发生了错位，在小孔远离轴线的一侧阻挡了离子束流，因而被离子束流蚀刻。本专利技术的方案为，一套栅孔板上各栅孔板的开孔仍一一对应，但各栅孔板栅孔的开孔位置是不同的，具体说，靠外侧的栅孔板，栅孔位置比本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有栅孔板离子引出系统的离子源，其特征在于采用了具有内外侧栅孔板对应孔开孔位置预错位的凸曲面栅孔板组，这种预错位栅孔板组中，外侧栅孔板与内侧栅孔板上的开孔一一对应，但相对应孔在外侧栅孔板上的开孔位置比在内侧栅孔板上的开孔位置略远离轴线。

【技术特征摘要】
1.具有栅孔板离子引出系统的离子源，其特征在于采用了具有内外侧栅孔板对应孔开孔位置预错位的凸曲面栅孔板组，这种预错位栅孔板组中，外侧栅孔板与内侧栅孔板上的开孔一一对应，但相对应孔在外侧栅孔板上的开孔位置比在内侧栅孔板上的开孔位置略远离轴线。2.如权利要求1所述的离子源，其特征在于离子引出系统的内侧栅孔板指考夫曼离子源的屏极栅孔板，外侧栅孔板指考夫曼离子源的加速极栅孔板。3.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘杰，杨树柏，
申请(专利权)人：上海伟钊光学科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31