离子源温度控制装置制造方法及图纸

技术编号:15193633 阅读:113 留言:0更新日期:2017-04-20 14:35
本发明专利技术公开了一种用于控制离子源的温度的离子源温度控制装置。离子源包含多个壁,所述多个壁界定离子在其中生成的腔室。为了控制离子源的温度,一个或多个可移动挡热板安置到腔室外部。可移动挡热板由设计为将热量反射回到离子源的高温和/或耐火材料制成。在第一位置时,这些可移动挡热板经安置以将第一量的热量反射回到离子源。在第二位置时,这些可移动挡热板经安置以将较少的第二量的热量反射回到离子源。在一些实施例中,可移动挡热板可以安置在位于第一位置与第二位置之间的一个或多个中间位置中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本申请要求保护在2014年7月2日所提申的美国专利申请序号14/322357的优先权,其公开内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及一种用于控制离子源的温度的装置,且特别涉及一种用于动态改变离子源的温度的装置。
技术介绍
离子源用于对引入到离子源的腔室中的气体进行离子化。通常,离子源具有界定腔室的多个壁。气体被引入到此腔室中。所述腔室还具有离子生成机构。在一些情况下,此离子生成机构可以是间热式阴极,其发出用来在腔室中对气体进行离子化的电子。不同气体最好在不同温度下离子化。举例来说,较大的分子优选地在较低温度下离子化以确保形成大分子离子,而非较小离子。类似地,其它物质,例如,碳类的物质,最好在较高温度下离子化。另外,离子源的温度也可能影响离子源的使用寿命或射束电流。比如碳等物质如果在低温下离子化,那么可能在腔室中形成残留物。因此,有利的将是具有在相对热的温度与冷的温度之间改变离子源的温度而无需要求手动干涉的装置。
技术实现思路
本专利技术公开了一种用于控制离子源的温度的装置。离子源包含多个壁,所述多个壁界定离子在其中生成的腔室。为了控制离子源的温度,一个或多个挡热板安置到腔室外部。挡热板由设本文档来自技高网...
<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/59/201580043549.html" title="离子源温度控制装置原文来自X技术">离子源温度控制装置</a>

【技术保护点】
一种装置,包括:离子源,其具有界定腔室的多个壁;以及可移动挡热板,其安置在所述腔室外部并且靠近所述壁中的至少一个,其中所述可移动挡热板在第一位置时,第一量的热量反射回到所述腔室;以及在第二位置时,第二量的热量反射回到所述腔室,所述第二量的热量小于所述第一量的热量。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.02 US 14/322,3571.一种装置,包括:离子源,其具有界定腔室的多个壁;以及可移动挡热板,其安置在所述腔室外部并且靠近所述壁中的至少一个,其中所述可移动挡热板在第一位置时,第一量的热量反射回到所述腔室;以及在第二位置时,第二量的热量反射回到所述腔室,所述第二量的热量小于所述第一量的热量。2.根据权利要求1所述的装置,其中所述多个壁包括底壁、具有孔隙的顶壁、两个端壁和两个侧壁,其中阴极经安置而接近于所述两个端壁中的一个,并且其中所述可移动挡热板经安置而接近于所述两个端壁中的一个。3.根据权利要求2所述的装置,其中所述可移动挡热板在平行于所述两个端壁中的第一个的平面的方向上移动,并且在所述第一位置时,所述可移动挡热板与第一端壁的一部分重叠,并且在所述第二位置时,所述可移动挡热板与所述第一端壁的较小部分重叠。4.根据权利要求2所述的装置,其中所述可移动挡热板围绕靠近所述两个端壁中的第一个的枢转点旋转,并且在所述第一位置时,所述可移动挡热板与第一端壁形成第一角度,并且在所述第二位置时,所述可移动挡热板与所述第一端壁形成第二角度,所述第二角度大于所述第一角度。5.根据权利要求1所述的装置,其中所述多个壁包括底壁、具有孔隙的顶壁、两个端壁和两个侧壁,其中阴极经安置而接近于所述两个端壁中的一个;并且其中所述两个可移动挡热板经安置而接近于所述两个侧壁中的一个。6.根据权利要求5所述的装置,其中所述可移动挡热板在平行于所述侧壁中的第一个的平面的方向上移动,并且在所述第一位置时,所述可移动挡热板与所述第一侧壁的一部分重叠,并且在所述第二位置时,所述可移动挡热板与所述第一侧壁的较小部分重叠。7.根据权利要求5所述的装置,其中所述可移动挡热板围绕靠近所述侧壁中的第一个的枢转点旋转,并且在所述第一位置时,所述可移动挡热板与所述第一侧壁形成第一角度,并且在所述第二位置时,所述可移动挡热板与所述第一侧壁形成第二角度,所述第二角度大于所述第一角度。8.根据权利要求1所述的装置,其进一步包括驱动器,所述驱动器与所述可移动挡热板通信以在所述第一位置与所述第二位置之间移动所述可...

【专利技术属性】
技术研发人员:奎格·R·钱尼威廉·戴维斯·李奈尔·J·巴森
申请(专利权)人:瓦里安半导体设备公司
类型:发明
国别省市:美国;US

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1