栅网及离子源制造技术

本实用新型专利技术涉及一种栅网，用于离子源的离子光学系统，所述栅网设有带栅孔的栅孔区，所述栅网上自栅孔区边缘向外呈辐射状开设有多个热应变槽，且所述热应变槽贯穿所述栅网上下表面。本实用新型专利技术还提供了使用该栅网的离子源。本实用新型专利技术通过在栅网上开设辐射状的热应变槽，彻底地解决耐熔金属平面栅网的热变形问题，还能保持离子束束流的均匀度和稳定度，满足长期和反复高温环境离子源工作，提高离子源性能的重复性和离子束加工的工艺均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及离子源
，更具体地说，涉及一种栅网及离子源。
技术介绍
离子束加工是当代微电子机械系统(Micro-Electro-MechanicalSystem，MEMS)微纳精密加工的重要工艺之一。它是通过惰性气体辉光放电产生的等离子体，经抽取、成束、加速、中和形成高能高速的中性离子束，在常温或高温超真空环境中对金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等材料的工件进行抛光、清洗、刻蚀、溅射、沉积、镀膜、注入等微纳米级的超精细加工。离子源是离子束加工系统的核心。请参阅图1，为现有离子源的结构示意图。其中，离子光学系统用于将真空室5内放电区产生的等离子体3抽取并加速成离子束4射出，是离子源的关键部件。这种常用的双栅式离子光学系统是由二张同轴平行安装的栅网组成，即引出栅网1和加速栅网2。该离子源栅网的热稳定性直接影响离子源等离子体浓度分布和离子束束流密度。现有的离子源栅网装配是采用边缘固定的方式。当离子源开始工作后，等离子体离子到达栅网转移的能量、离子和电子在栅网上复合释放的能量、阴极产生的高温辐射和等离子体辐射的热量将造成栅网逐渐升温，导致栅网不同部位的温度很本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种栅网，用于离子源的离子光学系统，其特征在于，所述栅网设有带栅孔的栅孔区，所述栅网上自栅孔区边缘向外呈辐射状开设有多个热应变槽，且所述热应变槽贯穿所述栅网上下表面。

【技术特征摘要】
1.一种栅网，用于离子源的离子光学系统，其特征在于，所述栅网设有带栅孔的栅孔区，所述栅网上自栅孔区边缘向外呈辐射状开设有多个热应变槽，且所述热应变槽贯穿所述栅网上下表面。2.根据权利要求1所述的栅网，其特征在于，所述热应变槽在所述栅网的周向上等间隔设置。3.根据权利要求1所述的栅网，其特征在于，所述热应变槽的数量为2～50个。4.根据权利要求1所述的栅网，其特征在于，所述热应变槽的数量n通过以下公式计算：n＝5.705ln(d)-7.225；n取整数值；其中d为栅网的直径。5.根据权利要求1所述的栅网，其特征在于，所述热应变槽的数量为双数。6.根据权利要求1～5中任一项所述的栅网，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：刁克明，
申请(专利权)人：北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11