离子注入系统技术方案

本发明专利技术提供一种离子注入系统，包含：离子源；以及聚束器，从离子源接收连续离子束并输出聚束式离子束。聚束器可包含漂移管组件，漂移管组件具有交替顺序的接地漂移管和交流电漂移管。漂移管组件可包含：第一接地漂移管，布置成接收连续离子束；至少两个交流电漂移管，在第一接地漂移管的下游；第二接地漂移管，在至少两个交流电漂移管的下游。离子注入系统可包含交流电电压组件，交流电电压组件耦接到至少两个交流电漂移管且包括分别耦接到至少两个交流电漂移管的至少两个交流电电压源。离子注入系统可包含安置在聚束器下游的线性加速器，线性加速器包括多个加速工作台。线性加速器包括多个加速工作台。线性加速器包括多个加速工作台。

【技术实现步骤摘要】
离子注入系统
[0001]相关申请
[0002]本申请为2020年4月7日申请的名称为“用于产生聚束式离子束的新颖设备和技术(NOVEL APPARATUS AND TECHNIQUES FOR GENERATING BUNCHED ION)”的美国专利申请第16/842,464号的部分接续申请并主张其优先权，所述申请为2018年8月21日申请的名称为“用于产生聚束式离子束的新颖设备和技术(NOVEL APPARATUS AND TECHNIQUES FOR GENERATING BUNCHED ION BEAM)”的美国专利申请第16/107,151号的接续并主张其优先权，所述申请以全文引用的方式并入本文中。


[0003]本公开通常涉及离子注入设备，且更具体地说，涉及高能量射束线离子注入机。

技术介绍

[0004]离子注入为经由轰击将掺杂剂或杂质引入到衬底内的工艺。离子注入系统可包括离子源和一系列射束线组件。离子源可包括产生离子的腔室。射束线组件可包含例如质量分析器、准直器以及使离子束加速或减速的各种组件。于用于操控射束的一系本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子注入系统，包括：离子源，产生连续离子束；聚束器，安置在所述离子源的下游以接收所述连续离子束并输出聚束式离子束，其中所述聚束器包括漂移管组件，所述漂移管组件包括以彼此交替的方式布置的交替顺序的接地漂移管集合及交流电漂移管集合，所述漂移管组件还包括：第一接地漂移管，布置成接收所述连续离子束；至少两个交流电漂移管，在所述第一接地漂移管的下游；第二接地漂移管，在所述至少两个交流电漂移管的下游；及交流电电压组件，电耦接到所述至少两个交流电漂移管，所述交流电电压组件包括分别耦接到所述至少两个交流电漂移管的至少两个交流电电压源；以及线性加速器，包括多个加速工作台，所述线性加速器安置在所述聚束器的下游以接收并加速所述聚束式离子束。2.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中所述交流电电压组件包括：第一交流电电压源，经耦接以在第一频率下将第一交流电电压信号递送到所述至少两个交流电漂移管中的第一交流电漂移管；以及第二交流电电压源，经耦接以在第二频率下将第二交流电电压信号递送到所述至少两个交流电漂移管中的第二交流电漂移管，其中所述第二频率包括所述第一频率的整数倍。3.根据权利要求2所述的离子注入系统，其中所述第一频率为40兆赫且所述第二频率为80兆赫。4.根据权利要求2所述的离子注入系统，其中所述第一频率为13.56兆赫且所述第二频率为27.12兆赫。5.根据权利要求2所述的离子注入系统，所述聚束器还包括：所述第一接地漂移管；所述第一交流电漂移管，邻近所述第一接地漂移管且在所述第一接地漂移管的下游安置；中间接地漂移管，布置在所述第一交流电漂移管的下游；所述第二交流电漂移管，邻近所述中间接地漂移管且在所述中间接地漂移管的下游安置；以及所述第二接地漂移管，其中所述第二接地漂移管邻近所述第二交流电漂移管且在所述第二交流电漂移管的下游安置。6.根据权利要求5所述的离子注入系统，所述聚束器还包括：所述第一接地漂移管；所述第一交流电漂移管，其中所述第一交流电漂移管邻近所述第一接地漂移管且在所述第一接地漂移管的下游安置；第一中间接地漂移管，布置在所述第一交流电漂移管的下游；所述第二交流电漂移管，其中所述第二交流电漂移管邻近所述第一中间接地漂移管且在所述第一中间接地漂移管的下游安置；第二中间接地漂移管，邻近所述第二交流电漂移管且在所述第二交流电漂移管的下游安置；
第三交流电漂移管，邻近所述第二中间接地漂移管且在所述第二中间接地漂移管的下游安置；以及所述第二接地漂移管，其中所述第二接地漂移管邻近所述第三交流电漂移管且在...

【专利技术属性】
技术研发人员：法兰克，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：