The present invention provides a bearing device and ion implantation device, the bearing device comprises a supporting table used for supporting a substrate; and a plurality of support members for supporting a substrate, each support member movably disposed on the supporting table, so that the support position on the substrate of the supporting parts adjustable. The invention provides a bearing device and ion implantation equipment, can reduce caused by contact with the substrate supporting member of bright and white Mura produced adverse scotoma.
【技术实现步骤摘要】
承载装置及离子注入设备
本专利技术涉及一种专门用于制造或处理固体器件的设备,特别是一种承载装置及离子注入设备。
技术介绍
离子注入技术是近30年来在国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性技术。离子注入的基本原理是:用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去,离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用,入射离子逐渐损失能量,最后停留在材料中,并引起材料表面成分、结构和性能发生变化,从而优化材料表面性能或获得某些新的优异性能。在离子注入(Implant)过程中,玻璃基板首先会被水平放置于基板承载装置的承载台(Platen)上,而后由承载台垂直立起进行扫描。在此过程中,承载台上的支撑部件(Pin)会与玻璃基板的背部接触,由于现有的承载台上的支撑部件的顶部呈球形,与玻璃基板背部接触面积小,且支撑部件是固定于承载台上,随着使用次数的增加,支撑部件的表面磨损,在承载台翻动过程中容易产生静电,尤其是,当支撑部件的支撑位置在显示面板的有效显示区(A/A区),玻璃基板背部静电释放,会对TFT(ThinFilmTransistor,薄膜晶体管)产生影响,引起亮暗点、白Mura等不良。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种承载装置及离子注入设备,能够减少由于支撑部件与基板接触所引起的亮暗点、白Mura等不良产生。本专利技术所提供的技术方案如下:一种承载装置,包括:用于承托基板的承托台;以及,用于支撑基板的多个支撑部件,各支撑部件以可移动地方式设置在所述承托台上,以使各支撑部件在基板上的支撑位置可调节。进一步的,在所述承托台上设置有导轨,在所述导轨上设 ...
【技术保护点】
一种承载装置,其特征在于,包括:用于承托基板的承托台;以及,用于支撑基板的多个支撑部件,各支撑部件以可移动地方式设置在所述承托台上,以使各支撑部件在基板上的支撑位置可调节。
【技术特征摘要】
1.一种承载装置,其特征在于,包括:用于承托基板的承托台;以及,用于支撑基板的多个支撑部件,各支撑部件以可移动地方式设置在所述承托台上,以使各支撑部件在基板上的支撑位置可调节。2.根据权利要求1所述的承载装置,其特征在于,在所述承托台上设置有导轨,在所述导轨上设置有能够沿所述导轨移动的多个滑动块,其中在每一所述滑动块上连接有至少一个所述支撑部件。3.根据权利要求2所述的承载装置,其特征在于,所述导轨为凸出于所述承托台侧面外的长条形凸块结构,所述滑动块中部形成有凹槽,所述凹槽的槽口朝向所述长条形凸块结构,以使所述滑动块环套在所述长条形凸块结构上。4.根据权利要求3所述的承载装置,其特征在于,在所述凹槽的内壁与所述导轨的外周面之间设置有多个滚珠,多个所述滚珠排列成至少一排,且所述滚珠的排列方向与所述导轨的延伸方向一致。5.根据权利要求4所述的承载装置,其特征在于,所述滑动块包括一用于形成所述凹槽的槽底的第一部分、以及用于分别形成所述凹槽的两侧壁的第二部分和第三部分,其中,所述第二部分和所述第三部分均可拆卸地连接在所述第一部分上,且所述第二部分和所述第三部分上分别设置所述滚珠。6.根据权利要求3所述的承载装置,其特征在于,所述凹槽为槽底尺寸大于槽口尺寸的梯形槽结构,所述导轨为与所述凹槽结构相匹配的、横截面呈梯形的长条形凸块结构。7.根据权利要求2所述的承载装置,其特征在于,所述承托台包括相对的第一侧边和第二侧边、及相对的第三侧边和第四侧边,在所述第一侧边设置有能够使得所述承托台由水平状态翻转成竖直状态的...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘晨亮,蒋冬华,傅永义,谭超,王学伟,李儒健,罗康,令勇洲,谢银,杨剑波,李飞,
申请(专利权)人:成都京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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