深度学习操作（例如，转置卷积、调整大小卷积、扩张卷积等等）可以用稀疏图和存储指针来执行。深度学习操作具有张量，该张量可以被用来通过向张量中添加新的数据元素（例如，零）来生成上采样张量。可以基于第一深度学习操作的一个或多个参数来生成一个或...

本申请公开了用于信任域创建和摧毁的方法和装置。创建可信执行域的方法包括：通过处理设备执行信任域资源管理器（TDRM）来初始化与信任域（TD）相关联的信任域控制结构（TDCS）和信任域保护的存储器（TDPM）。该方法进一步包括：生成一次性...

描述了一种DIMM。DIMM包括在相同的突发写入序列期间将写入数据多路复用到DIMM上的不同组的存储器芯片的电路。

例如，一种装置可以包括逻辑和电路，被配置为使非接入点（AP）（non‑AP）站（STA）：在控制字段中设置一个或多个分段关联信息（SAI）队列大小子字段。例如，一个或多个SAI队列大小子字段可以指示non‑AP STA处的一个或多个SA...

公开了用于映射工作负载的方法、系统、制品和装置。示例装置包括：约束定义器，用于定义所述神经网络的性能特性目标；动作确定器，用于将第一资源配置应用于与所述神经网络相对应的候选资源；回报确定器，用于基于(a)资源性能度量和(b)所述性能特性...

集成电路(IC)器件具有栅电极耦合到源极或漏极的晶体管，例如，连接成二极管的晶体管。IC器件可以包括在晶体管上(例如，在器件层上和之上)的金属化层级，其中连续的第一金属主体在金属化层级中并且直接在源极或漏极接触部和栅电极上。金属化层级中...

本公开涉及用于表面安装组件的柔性安装结构。在一个实施例中，一种设备包括电路板(例如，主板)，该电路板具有导电接触件，这些导电接触件与电路板的第一金属层一体成型并且从该第一金属层延伸出来。接触件可以以小于90度的角度(例如，在一些实施例中...

扇出式层叠封装（PoP）组件，其中第二芯片粘附到第一芯片的非有源侧。第一芯片的嵌入在第一封装材料中的有源侧可以通过一个或多个再分布层电耦合，所述一个或多个再分布层扇出到PoP的第一侧上的封装互连。可以用第二封装材料将第二芯片粘附到第一芯...

微电子集成电路封装结构包括封装结构，所述封装结构包括在第一电介质材料上的第一管芯和在第二电介质材料上的第二管芯，其中第一管芯与第二管芯相邻。第三管芯在第一管芯下方并且混合键合到第一管芯，第四管芯在第二管芯下方并且混合键合到第二管芯。包括...

本公开涉及用于栅格阵列封装的加载机构。一种用于栅格阵列(LGA)半导体封装的加载机构可以包括：背板，被配置为附接到主板；插座，附接到主板的与背板相反的一侧；以及负载板，被配置为将LGA半导体封装固定在插座中。负载板可以可移除地耦合到背板...

公开了用于改善集成电路封装的散热和机械加载的系统、装置、制品和方法。示例装置包括：插座，用于接纳集成电路封装；以及板，用于朝向插座将负载施加在集成电路封装上。该板包括内部通道，用于携载冷却剂通过该板。液体冷却剂用于促进集成电路封装的冷却。

例如，一种装置可以包括逻辑和电路，被配置为使参数设置服务器：与无线局域网（WLAN）站（STA）建立连接。例如，参数设置服务器可以被配置为：经由与WLAN STA的连接，向WLAN STA发送WLAN参数设置信息。例如，WLAN参数设置...

描述了具有含金属鳍状物隔离区域的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括位于第一子鳍状物之上的水平纳米线的竖直堆叠体。栅极结构位于水平纳米线的竖直堆叠体之上以及位于第一子鳍状物上。电介质结构与栅极结构横向间隔开。电介质结构不位于沟道结构...

本公开涉及压电颤振冷却系统。本文公开了使用压电现象进行冷却的设备和系统。在一个示例中，设备包括：热管；一个或多个鳍，热耦合到热管的第一端，其中，鳍从热管横向延伸；以及一个或多个压电结构，耦合到鳍。

本公开涉及用于数论变换指令的装置和方法。指令被执行来用于执行数论变换(NTT)。例如，一种实施例包括：解码电路，用于对该指令进行解码；一个或多个打包数据寄存器，用于存储第一、第二和第三多个源打包数据元素以及相应的结果打包数据元素；以及执...

本文公开了具有自对准背侧触点的半导体装置和系统及其形成方法。在一个示例中，半导体装置包括沟道、源极和漏极、源极和漏极触点以及栅极。沟道包括竖直且基本平行布置的多个沟道结构。源极和漏极位于沟道的相对端。源极触点和漏极触点分别耦合到源极和漏...

本申请公开了经由低压空气增流器的膝上型电脑冷却。本文中讨论的技术解决方案包括用于电子设备的冷却系统，包括低压离子鼓风机和电磁空气增流器，以改善膝上型电脑的热管理。冷却系统可以包括以并联或串联配置来布置的多个鼓风机模块。热解决方案可以是蒸...

公开了交通工具功率管理。本文描述了用于控制或调节交通工具中的组件的功率使用的系统和技术。该技术可包括获得功率使用的日志，该功率使用的日志记录组件在指定时间段内的功率消耗。收集与该时间段相对应的上下文数据，并且从功率消耗数据导出重复度量。...

一种集成电路管芯包括在第一表面和与第一表面相对的第二表面之间的存储单元阵列。靠近第一表面的第一存储单元包括在第一晶体管之上的第一电容器。第一存储单元之下的第二存储单元包括第二晶体管之下的第二电容器。第一晶体管可以堆叠在第二晶体管上。电容...

公开了用于具有全环绕栅极晶体管和二极管器件的背侧功率输送的绝缘体上硅集成。本文描述了涉及用于全环绕栅极场效应晶体管和二极管器件的绝缘体上硅(SOI)衬底集成的器件、晶体管结构、系统和技术。集成电路管芯包括：具有在SOI衬底的绝缘体层上的...