公开了可扩展的软件定义交通工具平台管理和功能。公开了用于建立软件定义的交通工具平台的管理和功能的各种系统和方法。用于配置功率使用和管理的示例技术包括：评估枚举交通工具的多个交通工具电子控制单元(ECU)的特性的数据；确定ECU的功率使用...

描述了具有高准确度接合的集成电路层的分割处理。在示例中，集成电路结构包括具有最上表面的前道工序(FEOL)堆叠，该最上表面包括第一导电特征和第一电介质特征。后道工序(BEOL)堆叠在FEOL堆叠上方。BEOL堆叠具有最下表面，该最下表面...

本发明公开了用于本地证明服务的装置、方法和计算机可读介质。用于信任集群内的网络的本地证明服务的装置、方法和计算机可读介质。该装置包括存储器、机器可读指令和处理器电路系统，该处理器电路系统被配置成用于执行机器可读指令以进行以下操作：与信任...

本文公开了用于控制柔性显示器的系统和方法。一种示例装置包括：接口电路；机器可读指令；以及至少一个处理器电路，用于对机器可读指令进行实例化或执行中的至少一项，以执行如下操作：基于传感器的输出来确定用户相对于显示屏的距离，该传感器与至少一个...

本文描述了涉及具有被选择性去除的纳米带以实现更厚的栅极电介质材料的全环栅场效应晶体管的器件、晶体管结构、系统和技术。在形成半导体层和牺牲层的交替堆叠体时，将包覆层施加到那些半导体层以在纳米带释放期间去除。在纳米带释放之前，包覆层的原子仅...

本公开涉及具有逐行写入辅助的静态随机存取存储器。本文的实施例涉及静态随机存取存储器(SRAM)，其中使用沿字线方向延伸的电源线(Vcc)来促进写入辅助技术。该SRAM可以使用互补场效应晶体管(CFET)技术实现，其中N型和P型晶体管以堆...

本公开提供了用于形成半导体器件的技术，所述半导体器件包括具有自对准电介质脊的叉片晶体管，所述电介质脊具有气隙。所述气隙可以构成所述电介质脊的总体积的大部分，这降低了所述电介质脊的介电常数并且减少了寄生电容。在一个示例中，第一和第二半导体...

描述了具有包括再生长中心部分的源极或漏极结构的全环栅集成电路结构，以及制造具有包括再生长中心部分的源极或漏极结构的全环栅集成电路结构的方法。例如，一种集成电路结构包括纳米线的垂直布置。栅极堆叠体在纳米线的垂直布置上方。第一外延源极或漏极...

描述了用于条件围栏指令的电路和方法。在某些示例中，硬件处理器(例如，核心)包括：分支预测器，用于预测条件分支指令的已采取路径和未采取路径之一；解码器电路，用于将指令解码为解码后的指令，该指令包括字段和操作码，该字段指示通过执行另一指令来...

本公开描述了带有在其中具有接触部的垂直沟槽的源极或漏极结构。描述了具有这样的源极或漏极结构的集成电路结构：该源极或漏极结构带有在其中具有接触部的垂直沟槽。在示例中，集成电路结构包括在子鳍片上方的纳米线堆叠。外延源极或漏极结构位于纳米线堆...

本公开涉及使用存储器元数据提高数据依赖存储器预取器的精度。描述了数据依赖(存储器)预取器支持。在一些示例中，数据依赖(存储器)预取器利用元数据来在进行预取之前预测数据字是否为有效指针。不被视为有效指针的数据字不被用于预取。元数据可以是线...

本公开的发明名称是“具有图案化纳米线缩放的全环绕栅极集成电路结构的制作”。描述了具有图案化纳米线厚度缩放的集成电路结构。例如，一种结构包括装置类型的第一装置，所述第一装置包括水平纳米线的第一垂直布置，以及在第一栅极电介质层之上具有第一导...

公开了浸没冷却系统。示例浸没冷却系统包括浸没槽，该浸没槽包括冷却流体和容纳冷却流体的再循环部分的贮液器。贮液器与浸没槽分开一定高度，以在浸没槽中的冷却流体和贮液器中的冷却流体之间产生液面高度变化。供应导管要流体耦合浸没槽和贮液器。冷却流...

本公开涉及集成流程中的混合的(100)表面和(110)表面的带状FET，并且涉及具有互补导电类型的非平面晶体管结构的集成电路(IC)设备。IC设备可以包括第一晶体管和第二晶体管，其中，纳米带堆叠体在第一晶体管的沟道区中，并且一个或多个鳍...

本公开涉及基于方向的声音事件指示的装置、系统、和方法。例如，计算设备可以被配置为：处理从用户的音频设备接收的声音信息，以识别与在音频设备的环境中检测到的声音事件相对应的第一环境声音信息和第二环境声音信息；以及基于第一环境声音信息和第二环...

公开了具有缠绕式栅极电介质的叉片晶体管。提供了用于形成半导体器件的技术，该半导体器件包括具有缠绕式栅极电介质、具有自对准电介质脊和纳米片的叉片晶体管。电介质脊可以在形成栅极结构之前形成。在示例中，第一和第二半导体器件分别具有在第一方向上...

公开了用于读取性能监视器计数器的细粒度用户模式控制的装置和方法。一种用于管理对性能计数器的访问的装置。处理器的一个实施例包括：多个核心，用于在第一特权级别执行第一程序代码以及在高于第一特权级别的第二特权级别执行第二程序代码，多个核心中的...

本文的实施例涉及高性能静态随机存取存储器(SRAM)，其中一列单元包括第一组和第二组位线。还提供第一和第二预充电电路以允许对位线组的独立预充电，例如，用于写入或读取操作。对于读取操作，用于该列的感测电路通过复用器耦合到其中一组位线。SR...

一种集成电路(IC)器件具有分离栅极电极的互补电介质插塞。IC器件包括在第一导电类型的晶体管的两个栅极结构之间并且与其接触的硅和氮的第一栅极切割插塞，以及在与第一导电类型互补的第二导电类型的晶体管的两个栅极结构之间并与其接触的第二栅极切...

本发明题为“在三维管芯堆叠中包括高热导率材料的集成电路封装”。本文中公开了微电子组装件、相关装置和方法。在一些实施例中，一种微电子组装件可以包括：具有表面的第一管芯；第二管芯和第三管芯，第二管芯和第三管芯具有第一表面和相对的第二表面，其...