本申请公开了用于计算机设备的基于应用优先级的功率管理。实施例包括设备、方法和系统，该设备、方法和系统包括用于控制由一个或多个处理器操作不同应用的不同功耗的功率控制单元。功率控制单元可以接收针对要在一个或多个处理器上操作的每个应用的功率信...

提供了一种装置、方法、机器可读介质。提供了一种包括接口电路系统、机器可读指令和处理电路系统的装置，该处理电路系统用于执行执行机器可读指令以根据迁移策略对从第一可信执行环境(TEE)到第二TEE的工作负载的迁移作出决策。迁移策略被嵌入到第...

公开了具有安装孔中的电感器的印刷电路板。公开了构建到印刷电路板的安装孔中和/或周围的电压调节器的电感器的系统、装置、制品和方法。示例装置包括印刷电路板，印刷电路板包括多个层和延伸穿过多个层的安装孔，以及至少部分地在多个层中的两个或更多个...

在本公开的实施例中，在形成源极/漏极区域之前，使用高温扩散工艺形成GAA FET的增强纳米带。扩散工艺包括在晶体纳米带(例如，包括纯硅或主要包括硅)周围形成添加剂材料层(例如，包括锗)，在添加剂材料层周围形成覆盖层，将添加剂材料扩散到晶...

本文中提供了形成具有包括叉片设备和全环绕栅极GAA设备的单元的半导体设备的技术，以提高单元性能。该技术可以用于任何数量的集成电路应用中，并且关于逻辑和存储器单元特别有用。叉片设备的电介质脊在第一方向上延伸跨过单元，并且还充当GAA设备之...

本申请涉及具有多频率信道的存储器。公开了具有多个存储器信道的处理装置和方法，这些存储器信道在不同频率值下运行，以将EMI发射扩散到更宽的频率范围上。这些信道可以采用或者也可以不采用扩频时钟控制(SSC)。

本公开涉及具有来自储液器的可变电离流体流动控制的热接地平面。一种热接地平面(TGP)，包括：蒸汽室，容纳电离流体；储液器，与蒸汽室流体连接，该储液器被配置为储存过量电离流体；以及电磁源，被配置为基于蒸汽室中电离流体的热阻或TGP在靠近热...

描述了具有差异化释放层的全环绕栅极集成电路结构。例如，集成电路结构包括子鳍结构上方的第一组水平纳米线。第一栅极结构处于第一组水平纳米线之上。第一组水平纳米线横向延伸超过第一栅极结构。第二组水平纳米线处于第一组水平纳米线之上。第二栅极结构...

一种装置，包括：分类器，该分类器被配置成用于基于一个或多个指示符实时地对应用通信量流的应用类型进行分类，该一个或多个指示符是从边缘设备的一个或多个组件接收的，并且与应用通信量流相关联；以及服务质量(QoS)引擎，该服务质量(QoS)引擎...

公开了多层光子集成电路（PIC）管芯封装组装件以及相关的设备、系统和制造方法。一种封装组装件包括具有基础PIC管芯的下层，其提供PIC核或单元的至少一些功能性。光子耦合器在封装组装件的上层中，并将组装件光学连接至外部光学器件。封装组装件...

本文公开了具有中介层的器件和系统及其形成方法，所述中介层不包括贯穿衬底过孔。在一个示例中，微电子组件包括中介层以及耦合到所述中介层的一个或多个集成电路(IC)管芯。所述中介层包括一个或多个导电迹线以及一个或多个过孔，但是所述中介层不包括...

本发明名称是“改进牺牲材料的移除以使沟道延伸部最小化”。在（例如，纳米带、纳米线等的）平行沟道结构之间具有电介质间隔物的集成电路（IC）装置。一种晶体管结构可具有在源主体与漏主体之间的第一沟道层和第二沟道层、在沟道层之间具有栅金属和栅电...

本公开涉及提高计算设备上的触敏按钮在明亮环境中的可见性的技术。在一个实施例中，一种计算设备包括：键盘；与键盘邻近的多个开口，其中至少一个发光元件位于每个相应开口的下方；以及在多个开口上方的翻盖。翻盖可在第一位置与第二位置之间移动，其中第...

本申请涉及一种用在接入点(AP)中的装置，其中，该装置包括处理器电路，该处理器电路被配置为促使AP用作探测发起AP来发送空数据包通告(NDPA)帧，该NDPA帧指示将发送跟在NDPA帧之后的空数据包(NDP)帧的探测响应AP以及用于协调...

公开了用于带状场效应晶体管的无缺陷外延源极和漏极结构。本文描述了涉及具有通过在纳米带的相对端处的外延源极和漏极结构接触的纳米带(即，半导体结构)的堆叠体的全环绕栅极场效应晶体管的器件、晶体管结构、系统和技术。晶体管包括垂直地位于纳米带之...

本发明公开了一种用于5G新空口（NR）网络中的用户设备（UE）的装置、方法和计算机可读介质。该UE对指示支持同时接收两个下行（DL）信号的能力的通知信令进行编码，解码用于双向高速部署的配置信令，并且解码在部署期间同时接收的两个DL信号。...

本发明涉及一种计算机可读存储介质，其存储有供UE的一个或更多个处理器执行的指令。这些指令配置UE在5G NR网络和更先进的网络中进行跨RAT NR‑EUTRAN测量，并使UE执行操作，包括对要传输给基站的通知信令进行编码。该通知信令指示...

在本公开内容的实施例中，集成晶体管设备包括位于同一衬底上的全环栅(GAA)晶体管和FinFET晶体管设备。FinFET晶体管包括位于FinFET晶体管的沟道和衬底之间的电介质区域。

公开了生成依赖于使用的代码嵌入的方法、装置、和制品。一种示例装置包括解析电路，用来选择代码片段的使用上下文，该使用上下文包括代码片段之前或调用代码片段的代码行(LOC)之前的至少一个LOC、该代码片段、以及该代码片段之后或LOC之后的至...

一种激活函数单元能够计算由泰勒级数近似计算的激活函数。所述激活函数单元可包括多个计算元件。每个计算元件可包括两个乘法器以及累加器。第一乘法器可使用诸如DNN层的输出激活的激活来计算中间乘积。第二乘法器可基于来自第一乘法器的中间乘积和泰勒...