【技术实现步骤摘要】
201610236465
【技术保护点】
一种P型动态阈值晶体管，其特征在于，所述P型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，位于所述衬底结构上的n个阈值可调结构，其中，n为大于等于1的自然数；所述阈值可调结构至少包含两个PMOS管和两个二极管，其中，第一PMOS管和第二PMOS管的沟道区均为N型本征区，且两个PMOS管共用体区，所述体区为P型重掺杂区；第一二极管以所述第一PMOS管的沟道区作为N区，第二二极管以所述第二PMOS管的沟道区作为N区，且两个二极管共用P区，并以两个PMOS管共用的体区作为P区；所述第一二极管的N区与所述第一PMOS管的体区连接，所述第一二极管的P区与所述第一PMOS管的栅连接，所述第二二极管的N区与所述第二PMOS管的体区连接，所述第二二极管的P区与所述第二PMOS管的栅连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈静，吕凯，罗杰馨，柴展，何伟伟，黄建强，王曦，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。