【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其擦除方法和擦除掉电验证方法。
技术介绍
1、闪存(flash memory)由于快速的读写速度、低能耗、不易损失等特点，在便携式消费性产品中应用极广，nor flash和nand flash是现在市场上两种主要的非易失闪存。
2、闪存只能在擦除后才能进行编程，而当闪存发生擦除掉电时，擦除未成功的数据存储位会处于异常状态，无法进行编程。因此，如何快速验证闪存是否发生了擦除掉电，是目前亟需解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其擦除方法和擦除掉电验证方法，以验证半导体器件是否发生了擦除掉电。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体器件，包括：
3、储存功能区，包括若干存储体；
4、至少一个验证功能区，每个所述验证功能区均包括至少两个验证数据存储位；以及，
5、擦除所述存储体之前，编程相应的所述验证功能区的一部分所述验证数据存储位，擦除所述存储体之后，编程相应的所述验证功能区的另一部分所述验证数据存储位。
6、可选的，所述验证功能区的数量与所述存储体的数量相等。
7、可选的，所述半导体器件为nor flash，所述存储体为扇区；或者，所述半导体器件为nand flash，所述存储体为存储块。
8、可选的，所述储存功能区与所述验证功能区位于不同的衬底上；或者，所述储存功能区与所述验证功能区位于同一衬底上，
9、可选的，每个所述验证功能区均包括两个验证数据存储位，擦除所述存储体之前，编程相应的所述验证功能区的一个所述验证数据存储位，擦除所述存储体之后，编程相应的所述验证功能区的另一个所述验证数据存储位。
10、本专利技术还提供了一种半导体器件的擦除方法，所述半导体器件包括储存功能区及至少一个验证功能区，所述储存功能区包括若干存储体，每个所述验证功能区均包括至少两个验证数据存储位，所述擦除方法包括：
11、接收擦除命令；
12、编程相应的验证功能区的一部分验证数据存储位；
13、根据所述擦除命令擦除目标存储体；以及，
14、编程相应的所述验证功能区的另一部分所述验证数据存储位。
15、可选的，接收所述擦除命令之后，判断所有所述验证功能区是否均已被编程，当判定所有所述验证功能区均已被编程时，擦除所有所述验证数据存储位。
16、可选的，读取至少部分所述验证数据存储位中的数据，并根据读取的数据获取每个所述验证功能区的所有所述验证数据存储位的逻辑值，以判断出所有所述验证功能区是否均已被编程。
17、本专利技术还提供了一种半导体器件的擦除掉电验证方法，所述半导体器件包括储存功能区及至少一个验证功能区，所述储存功能区包括若干存储体，每个所述验证功能区均包括至少两个验证数据存储位，擦除所述存储体之前，编程相应的所述验证功能区的一部分所述验证数据存储位，擦除所述存储体之后，编程相应的所述验证功能区的另一部分所述验证数据存储位，所述擦除方法包括：
18、所述半导体器件上电；
19、读取至少部分验证数据存储位中的数据；以及，
20、根据读取的数据判定所述半导体器件是否发生擦除掉电。
21、可选的，所述验证功能区的所述验证数据存储位按照逻辑地址顺次编程，根据读取的数据判定所述半导体器件是否发生擦除掉电的步骤包括：
22、根据读取的数据判断出最后编程的所述验证功能区；以及，
23、根据最后编程的所述验证功能区的最后一位所述验证数据存储位的逻辑值判定所述半导体器件是否发生擦除掉电。
24、在本专利技术提供的半导体器件及其擦除方法和擦除掉电验证方法中，在擦除存储体之前，编程相应的验证功能区的一部分验证数据存储位，擦除所述存储体之后，编程相应的所述验证功能区的另一部分所述验证数据存储位，若所述存储体擦除成功，则也会成功编程相应的所述验证功能区中的所有所述验证数据存储位，若发生擦除掉电，则只会编程相应的所述验证功能区中的一部分所述验证数据存储位，因此，在半导体器件上电之后，可以读取每个所述验证数据存储位中的数据，根据读取的数据即可判断所述半导体器件是否发生了擦除掉电。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述验证功能区的数量与所述存储体的数量相等。
3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为NOR Flash，所述存储体为扇区；或者，所述半导体器件为NAND Flash，所述存储体为存储块。
4.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述储存功能区与所述验证功能区位于不同的衬底上；或者，所述储存功能区与所述验证功能区位于同一衬底上，且对应于不同的阱区。
5.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，每个所述验证功能区均包括两个验证数据存储位，擦除所述存储体之前，编程相应的所述验证功能区的一个所述验证数据存储位，擦除所述存储体之后，编程相应的所述验证功能区的另一个所述验证数据存储位。
6.一种如权利要求1～5中任一项所述的半导体器件的擦除方法，其特征在于，所述半导体器件包括储存功能区及至少一个验证功能区，所述储存功能区包括若干存储体，每个所述验证功能区均包括至少两个验证数据存储位，所述擦除方法包括：p>
7.如权利要求6所述的半导体器件的擦除方法，其特征在于，接收所述擦除命令之后，判断所有所述验证功能区是否均已被编程，当判定所有所述验证功能区均已被编程时，擦除所有所述验证数据存储位。
8.如权利要求7所述的半导体器件的擦除方法，其特征在于，读取至少部分所述验证数据存储位中的数据，并根据读取的数据获取每个所述验证功能区的所有所述验证数据存储位的逻辑值，以判断出所有所述验证功能区是否均已被编程。
9.一种如权利要求1～5中任一项所述的半导体器件的擦除掉电验证方法，其特征在于，所述半导体器件包括储存功能区及至少一个验证功能区，所述储存功能区包括若干存储体，每个所述验证功能区均包括至少两个验证数据存储位，擦除所述存储体之前，编程相应的所述验证功能区的一部分所述验证数据存储位，擦除所述存储体之后，编程相应的所述验证功能区的另一部分所述验证数据存储位，所述擦除方法包括：
10.如权利要求9所述的半导体器件的擦除掉电验证方法，其特征在于，所述验证功能区的所述验证数据存储位按照逻辑地址顺次编程，根据读取的数据判定所述半导体器件是否发生擦除掉电的步骤包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述验证功能区的数量与所述存储体的数量相等。
3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为nor flash，所述存储体为扇区；或者，所述半导体器件为nand flash，所述存储体为存储块。
4.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述储存功能区与所述验证功能区位于不同的衬底上；或者，所述储存功能区与所述验证功能区位于同一衬底上，且对应于不同的阱区。
5.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，每个所述验证功能区均包括两个验证数据存储位，擦除所述存储体之前，编程相应的所述验证功能区的一个所述验证数据存储位，擦除所述存储体之后，编程相应的所述验证功能区的另一个所述验证数据存储位。
6.一种如权利要求1～5中任一项所述的半导体器件的擦除方法，其特征在于，所述半导体器件包括储存功能区及至少一个验证功能区，所述储存功能区包括若干存储体，每个所述验证功能区均包括至少两个验证数据存储位，所述擦除方法包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：卢中舟，罗旖旎，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。