改善NOR Flash编程及擦除的均匀性的方法技术

本发明专利技术提供一种改善NOR Flash编程及擦除的均匀性的方法，所述方法包括：提供NOR闪存单元，其包括存储部分，且所述存储部分包括位线组及至少两个SAS引出端，其中，各所述位线组包括预设数目的位线，并位于两个所述SAS引出端之间；对各所述位线施加电压以判断是否达到卡控值；针对未达到所述卡控值的所述位线，对其所对应的沟道宽度进行调整，且减小靠近所述SAS引出端的所述字线对应的沟道宽度，增大远离所述SAS引出端的所述字线对应的沟道宽度。通过本发明专利技术解决了现有的闪存器件编程与擦除均匀性差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种改善nor flash编程及擦除的均匀性的方法。

技术介绍

1、闪存是一种广泛使用的非易失性计算机存储技术，通常采用浮栅(floatinggate)或者电荷捕获结构(charge trap)在场效应晶体管(field effect transistor，fet)中存储电荷，构成存储单元。

2、而根据读写操作时逻辑门的区别，闪存分两种：nand型和nor型。nor型闪存可以对其每一个存储单元进行独立的读写操作，提供了完全的随机读取功能，因此能用于可执行程序的非易失性存储。

3、self-align source路线4xnor flash cell bit漏端(drain端)通过接触孔(ct)连接，而源端(source端)则是在控制栅刻蚀(cg刻蚀)形成源极自对准(self-alignsource)后通过光刻与刻蚀将源区浅沟槽隔离结构(sti)刻蚀掉，再通过重离子掺杂连接，每32位bits通过sas pickup ct连接出来。

4、然而，4xnor良率分析测试时发现，program&am本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善NOR Flash编程及擦除的均匀性的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的改善NOR Flash编程及擦除的均匀性的方法，其特征在于，针对未达到卡控值的所述位线，对其所对应的沟道宽度进行调整的方法包括：

3.根据权利要求1所述的改善NOR Flash编程及擦除的均匀性的方法，其特征在于，所述方法还包括在各小组之间设置OPC修正标识的步骤，且所述OPC修正标识用于在OPC修正时对各小组进行识别。

4.根据权利要求1所述的改善NOR Flash编程及擦除的均匀性的方法，其特征在于，各所述字线组包括32位字线。

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【技术特征摘要】

1.一种改善nor flash编程及擦除的均匀性的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的改善nor flash编程及擦除的均匀性的方法，其特征在于，针对未达到卡控值的所述位线，对其所对应的沟道宽度进行调整的方法包括：

3.根据权利要求1所述的改善nor flash编程及擦除的均匀性的方法，其特征在于，所述方法还包括在各小组之间设置opc修正标识的步骤，且所述opc修正标...

【专利技术属性】
技术研发人员：何应春，薛立平，徐荣，顾林，邓慧芳，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：