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本发明提供一种改善NOR Flash编程及擦除的均匀性的方法,所述方法包括:提供NOR闪存单元,其包括存储部分,且所述存储部分包括位线组及至少两个SAS引出端,其中,各所述位线组包括预设数目的位线,并位于两个所述SAS引出端之间;对各所述位...该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种改善NOR Flash编程及擦除的均匀性的方法,所述方法包括:提供NOR闪存单元,其包括存储部分,且所述存储部分包括位线组及至少两个SAS引出端,其中,各所述位线组包括预设数目的位线,并位于两个所述SAS引出端之间;对各所述位...