【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于存储器和cmos集成电路，具体涉及一种高密度存储阵列及其操作方法。
技术介绍
1、现代社会信息数据量的迅速增多对现有存储器提出了更高的要求，在当前的存储器按保持时间主要可分为易失存储器和非易失存储器，其中前者包括sram、dram，后者主流为基于nand结构的flash，然而nand flash存储器具有操作电压高，按比例缩小困难等问题，dram则面临电容难以按尺寸缩小的问题。
2、为了应对现有存储器的上述问题，近年来一种使用两个晶体管构成的称为2t0c的新型存储单元被提出并受到关注。图1画出了一个典型的2t0c存储单元结构，该单元由两个晶体管组成，分别为读晶体管n1，写晶体管n2，其中读晶体管n1的栅极与写晶体管n2的漏极连接，形成中间节点，写晶体管n2的源极连接到写位线wbl，栅极连接到写字线wwl，读晶体管n1的漏、源分别连接到读位线rbl和读字线rwl。作为存储器工作时，该单元通过将电荷存储在中间存储节点以保存信息，例如，当中间节点存在电荷时，读晶体管n1栅压为正，处于导通状态，表示存储信息1，当中间节...
【技术保护点】
1.一种高密度存储阵列，其特征在于，包括存储单元、写字线、读字线、写位线和读位线，由存储单元沿横向、纵向重复排列成m行n列矩阵结构；所述存储单元包括读晶体管N1、写晶体管N2，读晶体管N1的漏极连接读位线RBL、源极连接读字线RWL、栅极连接写晶体管N2的漏极形成中间存储节点，写晶体管N2的栅极连接写字线WWL，当所述存储单元位于阵列的最后一行时，该存储单元的写晶体管N2的源极连写位线WBL，当所述存储单元位于阵列的非最后一行时，该存储单元的写晶体管N2的源极连接至与其同列的下一行相邻存储单元的中间存储节点上；所述高密度存储阵列中，同一行存储单元共用一条写字线WWL和...
【技术特征摘要】
1.一种高密度存储阵列，其特征在于，包括存储单元、写字线、读字线、写位线和读位线，由存储单元沿横向、纵向重复排列成m行n列矩阵结构；所述存储单元包括读晶体管n1、写晶体管n2，读晶体管n1的漏极连接读位线rbl、源极连接读字线rwl、栅极连接写晶体管n2的漏极形成中间存储节点，写晶体管n2的栅极连接写字线wwl，当所述存储单元位于阵列的最后一行时，该存储单元的写晶体管n2的源极连写位线wbl，当所述存储单元位于阵列的非最后一行时，该存储单元的写晶体管n2的源极连接至与其同列的下一行相邻存储单元的中间存储节点上；所述高密度存储阵列中，同一行存储单元共用一条写字线wwl和一条读字线rwl，写字线与读字线平行，同一列存储单元共用一条读位线rbl...
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