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本发明提供了一种高密度存储阵列及其操作方法，属于存储器和CMOS集成电路技术领域。该高密度存储阵列基于现有的2T0C存储阵列，改变了现有阵列中存储单元间写晶体管的连接关系，阵列相邻行的存储单元的写晶体管之间源漏直接连接，消除了现有阵列相邻行...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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