【技术实现步骤摘要】
本说明书涉及用于编程操作的存储器设备和方法。具体地说，该存储器设备和该方法减少在编程操作期间的vpass干扰。
技术介绍
1、存储器设备(例如闪存芯片)可以通过向存储单元施加电压(例如编程电压)以执行编程操作来对存储器设备的存储单元进行编程。在一些方面，存储器设备的相同存储块中的存储单元可以共享相同的字线(wl)并且可以同时被编程。在编程操作期间，行解码器可以选择与存储单元相关联的wl来发送编程电压信号以将存储单元编程到目标状态。存储块中未选中wl通常可以偏置到被称为“vpass”的电压电平，以使对存储块的所有未选中单元的编程干扰最小化。
2、当一个或多个未选中单元无意中被“软编程”为与未选中wl相关时，可能会发生被称为“vpass干扰”的已知问题。例如，在编程操作期间，可以将vpass电压施加到与编程串的未被编程单元相对应的未选中wl。此时，未被编程单元的栅极和沟道之间的电位差可以形成电场。电场的大小可能不足以让电子轻松进入电荷捕获层。然而，由于电场的原因，可能会出现电子进入电荷捕获层的一定的概率，特别是当隧穿层的隔离性能...
【技术保护点】
1.一种用于对具有多个存储单元的存储器设备进行编程的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多条字线还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，执行所述编程操作还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多条字线还包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述多条字线还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二多条未被选中字线与所述选中字线之间的未被选中字线的数量在10和20之间。
7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第四多条未被选中字线与所述选中字线...
【技术特征摘要】
1.一种用于对具有多个存储单元的存储器设备进行编程的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多条字线还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，执行所述编程操作还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多条字线还包括：
5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述多条字线还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二多条未被选中字线与所述选中字线之间的未被选中字线的数量在10和20之间。
7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第四多条未被选中字线与所述选中字线之间的未被选中字线的数量在10和20之间。
8.一种三维(3d)nand存储器设备，包括：
9.根据权利要求8所述的3d nand存储器设备，其中，所述多条字线还包括：
10.根据权利要求9所述的3d nand存储器设备，其中，执行所述编程操作还包括：
11.根据权利要求8所述的3d nand存储器设备，其中，所述多条字线还包括：
12.根据权利要求9所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：远杰，崔莹，闵园园，宋雅丽，刘红涛，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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