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本发明提供一种3D周围栅极MOS管的制备方法，包括步骤：在硅衬底上形成被浅沟槽隔离结构隔离的N型阱与P型阱；分别在N阱区之上以及P阱区之上进行硅纳米线生长，以分别形成NPN纳米线和PNP纳米线；继续沉积氧化隔离层并进行平坦化处理后，去掉位于...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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