深沟槽填充方法技术

本发明专利技术公开了一种深沟槽填充方法，在深沟槽内，先用外延填充，外延填充至沟槽侧壁的外延在底部合拢之后，再利用非导电介质对沟槽内剩余空隙进行填充至填充满沟槽。本发明专利技术所述的深沟槽填充方法，外延填充在外延底部合拢后顶部合拢前停止，保持底部和顶部的外延体积相接近。由于填充外延内部的杂质量与体积成正比，所以本填充方法可以减小深沟槽底部和上部的杂质量差异，提升耗尽区的均匀性，使得在反向耗尽时沟槽各个深度的耗尽程度差异不大，进而提升耗尽区的耐压效率，提升产品的耐压能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别是指一种深沟槽填充方法。
技术介绍
现有的深沟槽超级结产品，应用深沟槽刻蚀加外延填充方法进行超级结产品的PN结构的加工。而深沟槽产品的外延填充速率慢，需要长时间的外延生长才能将沟槽完全填满，占用外延设备的产能，不利于大规模量产。深沟槽加工的侧壁会有一定角度，如图1所示，沟槽的剖面呈倒梯形，沟槽口沿的宽度大于沟槽底部的宽度。填充完成如图2所示，外延填充后导致顶部和底部的PN体积比例不一致，即沿着深沟槽不同深度的PN耗尽区的状况发生变化，如果沟槽的中间部分部分是完全耗尽，则沟槽上部在耗尽时会剩余空穴，沟槽下部在耗尽时会剩余电子，降低耗尽区的耐压能力。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种深沟槽填充方法，缩短深沟槽的填充时间，同时提升产品的耐压能力。为解决上述问题，本专利技术所述的深沟槽填充方法，在深沟槽内，先用外延填充，外延填充至沟槽侧壁的外延在底部合拢之后，再利用非导电介质进行填充至填充满沟槽。外延填充至沟槽侧壁的外延在底部合拢，填充时间为完全填充时间的30％～80％。所述的非导电介质包含但不仅限于二氧化硅、非掺杂多晶硅。所述的外延为P型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种深沟槽外填充方法，其特征在于：在深沟槽内，先用外延填充，外延填充至沟槽侧壁的外延在底部合拢之后，再利用非导电介质进行填充至填充满沟槽。

【技术特征摘要】
1.一种深沟槽外填充方法，其特征在于：在深沟槽内，先用外延填充，外延填充至沟槽侧壁的外延在底部合拢之后，再利用非导电介质进行填充至填充满沟槽。2.如权利要求1所述的深沟槽外填充方法，其特征在于：外延填充至沟槽侧壁的外延在底部合拢，填...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚亮，王飞，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31