一种具有减反射能力的单晶硅片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有减反射能力的单晶硅片，包括本体，所述本体外侧设有防腐蚀结构层，所述本体上表面设有粗栅线与细栅线，且粗栅线与细栅线之间相互垂直，所述本体包括P型单晶硅片和N型单晶硅片，所述P型单晶硅片上侧设有吸光结构层，所述吸光结构层上方设有双层氮化硅减反射层，所述双层氮化硅减反射层的上表面设有刻蚀绒面结构层，所述P型单晶硅片两侧均安装有上电极，所述P型单晶硅片与N型单晶硅片之间设有导通区，所述N型单晶硅片两侧均安装有下电极。本实用新型专利技术增大了吸光面积，减少了光能的反射，使得光能在本体上循环折射，增加了光能的利用率，且防止了单晶硅片被腐蚀，增加了使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光伏发电
，具体为一种具有减反射能力的单晶硅片。
技术介绍
随着能源危机的日益凸显，开发利用新能源成为当今能源领域研究的主要课题，由于太阳能具有无污染、无地域性限制、取之不竭等优点，研究太阳能发电成为开发利用新能源的主要方向，晶体硅太阳能电池，即由晶体硅片制备的太阳能电池是当今太阳能电池行业的主流产品，目前太阳能电池的市场中，晶体硅太阳能电池占据90%以上的份额，而在晶体硅太阳能电池中，单晶硅占据主导地位，冶金法提纯单晶硅的工艺因具有提纯技术产能大、生产工艺简单、提纯工艺不涉及化学过程、与环境友好等优点，采用冶金法提纯的单晶硅太阳电池材料最有可能取代改良西门子法生产的高纯硅太阳电池材料，它有着巨大的市场潜力和发展空间，目前，国际、国内用冶金法提纯单晶硅及制作高效太阳能电池技术，因此，提出了一种具有减反射能力的单晶硅片。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种具有减反射能力的单晶硅片，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种具有减反射能力的单晶硅片，包括本体，所述本体外侧设有防腐蚀结构层，所述本体上表面设有粗栅线与细栅线，且粗栅线与细栅线之间相互垂直，所述本体包括P型单晶硅片和N型单晶硅片，所述P型单晶硅片上侧设有吸光结构层，所述吸光结构层上方设有双层氮化硅减反射层，所述双层氮化硅减反射层的上表面设有刻蚀绒面结构层，所述P型单晶硅片两侧均安装有上电极，所述P型单晶硅片与N型单晶硅片之间设有导通区，所述N型单晶硅片两侧均安装有下电极。优选的，所述P型单晶硅片的上表面呈波浪形。优选的，所述本体的四角均呈弧形。与现有技术相比，本技术的有益效果是：该具有减反射能力的单晶硅片通过本体表面呈波浪形状，从而增大了吸光面积，双层氮化硅减反射层与刻蚀绒面结构层减少了光能的反射，使得光能在本体上循环折射，增加了光能的利用率，且防止了单晶硅片被腐蚀，增加了使用寿命。附图说明图1为本技术结构示意图；图2为本技术剖视结构示意图。图中：1本体、11细栅线、12粗栅线、13防腐蚀结构层、2 P型单晶硅片、21吸光结构层、22双层氮化硅减反射层、23刻蚀绒面结构层、3 N型单晶硅片、4导通区、5上电极、6下电极。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-2，本技术提供一种技术方案：一种具有减反射能力的单晶硅片，包括本体1，所述本体1外侧设有防腐蚀结构层13，所述本体1上表面设有粗栅线12与细栅线11，且粗栅线12与细栅线11之间相互垂直，所述本体1包括P型单晶硅片2和N型单晶硅片3，所述P型单晶硅片2上侧设有吸光结构层21，所述吸光结构层21上方设有双层氮化硅减反射层22，所述双层氮化硅减反射层22的上表面设有刻蚀绒面结构层23，所述P型单晶硅片2两侧均安装有上电极5，所述P型单晶硅片2与N型单晶硅片3之间设有导通区4，所述N型单晶硅片3两侧均安装有下电极6，所述P型单晶硅片2的上表面呈波浪形，所述本体1的四角均呈弧形。工作原理：工作时，通过粗栅线12与细栅线11对本体1进行隔离，通过上电极5与下电级6实现多个本体1之间的连接，通过设在P型单晶硅片2上的吸光结构层21，增大了本体1对光能的吸收，双层氮化硅减反射层22与刻蚀绒面结构层23减少了光能的反射，使得光能在本体1上循环折射，增加了光能的利用率。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有减反射能力的单晶硅片，包括本体（1），其特征在于：所述本体（1）外侧设有防腐蚀结构层（13），所述本体（1）上表面设有粗栅线（12）与细栅线（11），且粗栅线（12）与细栅线（11）之间相互垂直，所述本体（1）包括P型单晶硅片（2）和N型单晶硅片（3），所述P型单晶硅片（2）上侧设有吸光结构层（21），所述吸光结构层（21）上方设有双层氮化硅减反射层（22），所述双层氮化硅减反射层（22）的上表面设有刻蚀绒面结构层（23），所述P型单晶硅片（2）两侧均安装有上电极（5），所述P型单晶硅片（2）与N型单晶硅片（3）之间设有导通区（4），所述N型单晶硅片（3）两侧均安装有下电极（6）。

【技术特征摘要】
1.一种具有减反射能力的单晶硅片，包括本体（1），其特征在于：所述本体（1）外侧设有防腐蚀结构层（13），所述本体（1）上表面设有粗栅线（12）与细栅线（11），且粗栅线（12）与细栅线（11）之间相互垂直，所述本体（1）包括P型单晶硅片（2）和N型单晶硅片（3），所述P型单晶硅片（2）上侧设有吸光结构层（21），所述吸光结构层（21）上方设有双层氮化硅减反射层（22），所述双层氮化硅减反射层（2...

【专利技术属性】
技术研发人员：周士杰，陈圣铁，
申请(专利权)人：温州隆润科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33